三星电子株式会社崔圭桭获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体芯片的连接结构和制造半导体封装件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111613538B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010025247.4，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权制造半导体芯片的连接结构和制造半导体封装件的方法是由崔圭桭;金成焕;朱昶垠;权柒佑;林荣奎;李晟旭设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体芯片的连接结构和制造半导体封装件的方法在说明书摘要公布了：提供了一种制造半导体芯片的连接结构的方法和一种制造半导体封装件的方法。所述制造半导体芯片的连接结构的方法包括：准备半导体芯片，半导体芯片具有其上设置有连接垫的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且半导体芯片包括设置在第一表面上并覆盖连接垫的钝化层；在半导体芯片的第一表面上形成绝缘层，绝缘层覆盖钝化层的至少一部分；形成穿透绝缘层的通路孔以暴露钝化层的至少一部分；通过去除被通路孔暴露的钝化层来暴露连接垫的至少一部分；通过用导电材料填充通路孔来形成重新分布过孔；以及在重新分布过孔和绝缘层上形成重新分布层。
本发明授权制造半导体芯片的连接结构和制造半导体封装件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体芯片的连接结构的方法，所述方法包括： 通过半导体芯片的连接垫的上表面来执行所述半导体芯片的功能测试； 形成覆盖所述连接垫的上表面的钝化层； 准备所述半导体芯片，所述半导体芯片具有其上设置有所述连接垫的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述半导体芯片包括所述钝化层； 在所述半导体芯片的所述第一表面上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述钝化层的至少一部分； 通过光刻工艺，形成穿透所述绝缘层的通路孔以暴露所述钝化层的至少一部分； 通过在所述光刻工艺之后被执行的干蚀刻，通过去除被所述通路孔暴露的所述钝化层来暴露所述连接垫的至少一部分； 通过用导电材料填充所述通路孔来形成重新分布过孔；以及在所述重新分布过孔和所述绝缘层上形成重新分布层，其中，在执行所述半导体芯片的所述功能测试的步骤中，在所述连接垫的上表面中形成凹陷，其中，在暴露所述连接垫的至少一部分的步骤中，去除被所述通路孔暴露的所述钝化层以形成暴露所述连接垫的所述凹陷的开口，并且其中，所述重新分布过孔通过所述开口与所述连接垫的所述凹陷接触。
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