三星电子株式会社金宰中获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018170B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911394517.2，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法是由金宰中;李灿珩;张镇圭;金洛焕;李东洙设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括堆叠在基底上的沟道图案和堆叠在基底上的栅电极。沟道图案包括半导体图案。栅电极延伸以与沟道图案交叉。栅电极可以包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案。介电层可以分别围绕半导体图案、第一逸出功调整图案可以分别围绕介电层，第二逸出功调整图案可以分别围绕第一逸出功调整图案。第一逸出功调整图案可以由含铝的材料形成，第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的对应的一个第二逸出功调整图案。
本发明授权半导体器件和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，半导体器件包括： 基底； 沟道图案，堆叠在基底上，沟道图案包括半导体图案；以及栅极结构，位于基底上，栅极结构延伸为与沟道图案交叉，栅极结构包括介电层、第一逸出功调整图案和第二逸出功调整图案，介电层分别围绕半导体图案，第一逸出功调整图案分别围绕介电层，并且第二逸出功调整图案分别围绕第一逸出功调整图案，第一逸出功调整图案由包含铝的材料形成，并且第一逸出功调整图案中的每个相应的第一逸出功调整图案直接接触第二逸出功调整图案中的围绕第一逸出功调整图案中的所述相应的第一逸出功调整图案的相应的第二逸出功调整图案，使得第二逸出功调整图案之中的多个分立的第二逸出功调整图案中的每个分立的第二逸出功调整图案环绕第一逸出功调整图案之中的多个分立的第一逸出功调整图案中的对应的分立的第一逸出功调整图案的上表面、侧表面和下表面，其中，半导体器件在彼此相邻的第一逸出功调整图案与第二逸出功调整图案之间不包括氧化物层或氮化物层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励