台湾积体电路制造股份有限公司张贵松获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利微机电系统装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112299362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911175794.4，技术领域涉及：B81B7/04；该发明授权微机电系统装置及其形成方法是由张贵松;郑钧文;赖飞龙;潘兴强;谢元智;王怡人设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本微机电系统装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种微机电系统MEMS装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。
本发明授权微机电系统装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种微机电系统装置，包括： 介电结构，设置在第一半导体衬底之上，其中所述介电结构至少局部地界定空腔； 第二半导体衬底，设置在所述介电结构之上且包括可移动体，其中所述可移动体的相对的侧壁设置在所述空腔的相对的侧壁之间； 防粘连结构，设置在所述可移动体与所述介电结构之间，其中所述防粘连结构是第一硅系半导体；以及电极，设置在所述可移动体与所述介电结构之间，其中所述电极是第二硅系半导体，且其中所述电极及所述防粘连结构二者是非晶态固体，其中所述防粘连结构包含一种或多种逸气物质，其中所述微机电系统装置还包括： 内连结构，设置在所述介电结构中，其中所述防粘连结构电耦合到所述内连结构；以及逸气结构，设置在所述介电结构中，且所述逸气结构不电耦合到所述内连结构。
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