东京毅力科创株式会社石川慎也获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112599407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010993709.1，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权基片处理方法和等离子体处理装置是由石川慎也;久松亨设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供用于以原子层水平形成有机膜的基片处理方法和等离子体处理装置。在例示的实施方式中，提供基片处理方法。基片处理方法包括：a将基片提供到腔室内的步骤；和b在基片的表面形成有机膜的步骤。b包括两个步骤b1和b2。b1对腔室内供给包含有机化合物的第一气体，在基片形成前体层。b2对腔室内供给包含改性气体的第二气体，对前体层和第二气体的至少一者供给能量将前体层改性，在基片形成有机膜。
本发明授权基片处理方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： a将基片提供到腔室内的步骤，所述基片具有蚀刻区域和形成于所述蚀刻区域上的图案化的区域，所述蚀刻区域被所述图案化的区域的侧面包围； b在所述基片的表面形成有机膜的步骤；和c在所述b之后，使用处理气体的等离子体，通过所述图案化的区域对所述蚀刻区域进行蚀刻的步骤，所述b包括： b1对所述基片供给包含有机化合物的第一气体，在所述基片形成前体层的步骤；和b2对所述基片供给包含改性气体的第二气体，对所述前体层和所述第二气体的至少一者供给能量将所述前体层改性而形成所述有机膜的步骤，在所述b2中，通过生成所述第二气体的等离子体，来将所述前体层改性而形成所述有机膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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