太阳诱电株式会社森田浩一郎获国家专利权
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龙图腾网获悉太阳诱电株式会社申请的专利陶瓷电子器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687468B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011108116.9，技术领域涉及：H01G4/224；该发明授权陶瓷电子器件及其制造方法是由森田浩一郎设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本陶瓷电子器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种层叠陶瓷电容器，其包括：层叠结构，其中多个电介质层和多个内部电极层交替地层叠。陶瓷保护部包括覆盖层和侧缘。陶瓷保护部的主要组分陶瓷是具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构的陶瓷材料。钙钛矿结构的A位点至少包含Ba。钙钛矿结构的B位点至少包含Ti和Zr。作为Zr与Ti的摩尔比的ZrTi比为0.010或更大且0.25或更小。作为A位点与B位点的摩尔比的AB比为0.990或更小。
本发明授权陶瓷电子器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种陶瓷电子器件，包括： 层叠结构，其中多个电介质层和多个内部电极层交替地层叠，所述电介质层的主要组分是陶瓷，所述层叠结构具有长方体形状，所述多个内部电极层交替地露出至所述层叠结构的第一端面和第二端面，所述第一端面与所述第二端面相对，其中，陶瓷保护部包括覆盖层和侧缘，其中，所述覆盖层设置在所述层叠结构的层叠方向上的上下两面中的至少一者上，其中，在所述层叠结构中，所述侧缘是覆盖所述多个内部电极层朝向除所述第一端面和所述第二端面以外的两个侧面延伸到的边缘部分的区域，其中，所述陶瓷保护部的主要组分陶瓷是具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构的陶瓷材料，其中，所述钙钛矿结构的A位点至少包含Ba，其中，所述钙钛矿结构的B位点至少包含Ti和Zr，其中，作为ZrTi摩尔比的ZrTi比为0.020、0.040、0.080或0.16，其中，作为所述A位点与所述B位点的摩尔比的AB比为0.922或更大且0.982或更小。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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