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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司申请的专利晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113177379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110081046.0，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质是由河内玄士朗设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质在说明书摘要公布了：提供了一种晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质，所述晶体管包括半导体层和栅极，所述半导体层包括：彼此分离的源极和漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述栅极面向所述半导体层的沟道，所述方法包括：基于泊松方程以及基于电荷中性定律计算热平衡陷阱电荷密度Q’T的过程a；在所述栅极和所述半导体层之间施加电压后计算所述瞬态陷阱电荷密度qT的过程b；基于所述瞬态陷阱电荷密度qT计算自由载流子电荷密度qI的过程c；基于所述自由载流子电荷密度qI计算在所述源极和所述漏极之间流动的漏极电流Id的过程d。

本发明授权晶体管特性、电子电路特性的仿真方法、非暂时性记录介质在权利要求书中公布了：1.一种晶体管特性的仿真方法，晶体管包括半导体层和栅极，所述半导体层包括：彼此分离的源极和漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道，所述栅极面向所述半导体层的沟道，所述方法包括： 基于泊松方程以及基于电荷中性定律计算热平衡陷阱电荷密度Q’T的过程a，所述泊松方程表示所述沟道内的静电势与电荷之间的关系，所述电荷包括自由载流子电荷和陷于所述沟道中的陷阱状态的陷阱电荷，所述电荷中性定律适用于在栅极和沟道上积累的电荷； 在所述栅极和所述半导体层之间施加电压后计算瞬态陷阱电荷密度qT的过程b，其中假设所述瞬态陷阱电荷密度qT的时间变化由具有相互不同的时间常数的多个指数函数叠加得到的函数表示； 基于所述瞬态陷阱电荷密度qT计算自由载流子电荷密度qI的过程c；以及基于所述自由载流子电荷密度qI计算在所述源极和所述漏极之间流动的漏极电流Id的过程d，其中所述过程b包括： 基于构成所述陷阱电荷的部分电荷的概率分布，确定对应于所述指数函数中包含的时间常数的n个延时常数τNQS1到τNQSn以及构成分别具有所述延时常数τNQS1到τNQSn的陷阱电荷的部分电荷的电荷密度QT1到QTn的子过程b1，其中n大于等于2的整数，其概率变量为对应于构成所述陷阱电荷的部分电荷陷于所述陷阱状态所需的时间的延时常数，以及基于所述陷阱电荷的延时常数τNQS1到τNQSn和电荷密度QT1到QTn计算所述瞬态陷阱电荷密度qT的子过程b2。

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