东京毅力科创株式会社仙田孝博获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110143492.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法是由仙田孝博设计研发完成，并于2021-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法，其防止粘接剂的消耗，并且防止异常放电。该载置台包括：载置部，其配置于等离子体空间，用于载置基板；粘接层，其将上述载置部和基台粘接起来；贯通孔，其贯通上述载置部、上述基台以及上述粘接层，用于供给传热气体；以及套筒部件，其具有设有用于连通上述贯通孔和上述等离子体空间的多个细孔的面，并且以上述面在上述贯通孔的内部位于上述粘接层上方的方式配置。
本发明授权载置台、等离子体处理装置以及清洁处理方法在权利要求书中公布了：1.一种载置台，具有： 基台，其配置于等离子体处理空间； 载置部，其用于在该载置部的上表面载置基板，并且配置于上述基台上； 粘接层，其将上述载置部和基台粘接起来； 贯通孔，其贯通上述载置部、上述基台以及上述粘接层，用于供给传热气体；以及套筒部件，其设置在上述贯通孔的内部，上述套筒部件包括圆盘状的第一部分，其厚度比上述载置部薄； 环状的第二部分，其形成在上述第一部分下方，并且直径比上述第一部分的直径大；以及环状的第三部分，其形成在上述第二部分下方，并且直径比上述第二部分的直径小，上述第一部分、上述第二部分以及上述第三部分由相同材料一体地形成，上述第一部分和上述第二部分位于上述粘接层上方，在上述第一部分形成有细孔，上述第一部分的下表面凹陷以形成内部空间，上述细孔与上述内部空间连通，上述第三部分未与上述粘接层接触，并且上述第三部分未与上述基台接触，上述第三部分延伸至上述粘接层下方，在上述第一部分中形成的上述内部空间延伸至上述第二部分和上述第三部分，上述第一部分中的上述内部空间的直径与上述第二部分中的上述内部空间的直径相等，并且与上述第三部分中的上述内部空间的直径相等。
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