飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司李浩南获国家专利权
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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110995247.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法，能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，位于器件区外侧的边缘区，其特征在于，包括： 半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层； 绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中； 保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同，用于在高反向电压时产生耗尽区； 过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同，所述过渡层与所述器件区相邻； 场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面； 金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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