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龙图腾网获悉全宇昕科技股份有限公司申请的专利具有齐纳二极管的功率元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707653B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010437124.1，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权具有齐纳二极管的功率元件是由徐信佑设计研发完成，并于2020-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有齐纳二极管的功率元件在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有齐纳二极管的功率元件，其包含一基材结构、一绝缘层、一介电层、一晶体管、及多个齐纳二极管。晶体管位于基材结构的晶体管形成区域中。多个齐纳二极管皆位于基材结构的电路元件形成区域中且彼此串联。每个齐纳二极管包含一齐纳二极管掺杂结构及一齐纳二极管金属结构。齐纳二极管掺杂结构形成于绝缘层上、且被介电层覆盖。齐纳二极管掺杂结构包含彼此相接的一P型掺杂区及一N型掺杂区。齐纳二极管金属结构形成于介电层上、且部分地贯穿介电层，以电性连接于齐纳二极管掺杂结构的P型掺杂区及N型掺杂区。本发明能借由调整齐纳二极管的数量，从而设计出各种具有不同输出电压的功率元件产品。

本发明授权具有齐纳二极管的功率元件在权利要求书中公布了：1.一种具有齐纳二极管的功率元件，其特征在于，所述功率元件包括： 一基材结构，包含有一基底层及形成于所述基底层上的一磊晶层；其中，所述基材结构沿着其长度方向定义有一晶体管形成区域及相邻于所述晶体管形成区域的一电路元件形成区域； 一绝缘层，形成于所述磊晶层上； 一介电层，形成于所述绝缘层上； 一晶体管，位于所述晶体管形成区域中，并且所述晶体管是形成于所述基材结构上、且部分地形成于所述基材结构、所述绝缘层、及所述介电层中；以及多个齐纳二极管，皆位于所述电路元件形成区域中且彼此串联，多个所述齐纳二极管是以彼此串联的方式形成于所述绝缘层上、且与所述晶体管彼此间隔设置，并且每个所述齐纳二极管各自包含： 一齐纳二极管掺杂结构，形成于所述绝缘层上、且被所述介电层覆盖； 其中，所述齐纳二极管掺杂结构包含有彼此相接的一P型掺杂区及一N型掺杂区；及一齐纳二极管金属结构，形成于所述介电层上、且部分地贯穿所述介电层，以电性连接于所述齐纳二极管掺杂结构的所述P型掺杂区及所述N型掺杂区；其中，每个所述齐纳二极管经配置在所述功率元件通电时接受一逆向偏压； 其中，每个所述齐纳二极管金属结构包含有两个金属接脚，两个所述金属接脚彼此间隔设置、且皆部分地贯穿所述介电层，以分别电性连接且分别接触并部分伸入于所述齐纳二极管掺杂结构的所述N型掺杂区与所述P型掺杂区；其中，在所述功率元件通电时，连接于所述P型掺杂区的所述金属接脚之电位低于连接于所述N型掺杂区的所述金属接脚之电位，借以产生所述逆向偏压； 其中，在任何两个相邻且彼此串联的所述齐纳二极管中，其中一个所述齐纳二极管的连接于所述P型掺杂区的所述金属接脚、是直接地接触且电性连接于其中另一个所述齐纳二极管的连接于所述N型掺杂区的所述金属接脚；并且，其中一个所述齐纳二极管的所述齐纳二极管掺杂结构、是未直接地接触于另一个所述齐纳二极管的所述齐纳二极管掺杂结构； 其中，所述晶体管为一金氧半场效晶体管MOSFET，所述磊晶层凹设有至少一沟槽，所述沟槽是位于所述晶体管形成区域中，所述绝缘层延伸地形成于所述磊晶层上及所述沟槽的内壁上，所述绝缘层的位于所述沟槽的所述内壁的部位定义为一沟槽绝缘层，其包围形成有一凹槽，并且所述绝缘层的其余部位定义为一披覆绝缘层；其中，所述金氧半场效晶体管包含： 一闸极填充结构，形成于所述沟槽绝缘层的所述凹槽中； 一基体掺杂结构，形成于所述磊晶层中、且位于所述沟槽的周围区域； 一源极金属结构，形成于所述介电层上、且部分地贯穿所述介电层，以电性连接所述基体掺杂结构；及一汲极金属结构，形成于所述基底层的一底面。

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