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龙图腾网获悉西部数据技术公司申请的专利分层读取参考校准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113744784B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110366831.0，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权分层读取参考校准是由A.巴扎斯基;E.沙隆;I.阿尔罗德设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本分层读取参考校准在说明书摘要公布了：本发明题为“分层读取参考校准”。本发明公开了校准读取参考电压。在一个方面，控制管芯校准用于读取非易失性存储器单元的读取参考电压。控制管芯接合到包含存储器单元的存储器管芯。在一个方面，采用了校准读取参考电压的分层方法。例如，首先，控制管芯可尝试确定读取参考电压的新值。如果新读取参考电压令人满意，则控制管芯可使用新读取参考电压。控制管芯可使用一种或多种不同技术来确定新读取参考电压。如果由控制管芯确定的新读取参考电压不令人满意，则与控制管芯通信的存储器控制器可校准读取参考电压。通过控制管芯确定新读取参考电压，存储器控制器很大程度地减轻了此类任务的负担。

本发明授权分层读取参考校准在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 第一半导体管芯，所述第一半导体管芯包括非易失性存储器单元和第一多个通路；和第二半导体管芯，所述第二半导体管芯包括一个或多个控制电路和第二多个通路，其中所述一个或多个控制电路被配置为通过所述第一多个通路和所述第二多个通路的通路对传送信号，其中所述一个或多个控制电路被进一步配置为： 使用读取参考电压读取所述非易失性存储器单元中的数据，其中所述一个或多个控制电路被配置为通过所述第二多个通路从所述第一半导体管芯并行地接收所述数据； 校准用于读取所述非易失性存储器单元的读取参考电压；以及使用所校准的读取参考电压来读取所述非易失性存储器单元中的数据； 其中所述第二半导体管芯上的所述一个或多个控制电路被进一步配置为： 形成读取参考电压组，每个读取参考电压组包含所选择的读取参考电压的多个候选电压，而其他读取参考电压是固定的； 使用所述组的所述读取参考电压从所述第一半导体管芯上的一组所述非易失性存储器单元读取码字； 确定所述码字中的每个码字的错误度量；以及基于所述码字的所述错误度量来校准所选择的读取参考电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西部数据技术公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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