朗姆研究公司巴特·J·范施拉芬迪克获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利蚀刻停止层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113892168B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080039328.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权蚀刻停止层是由巴特·J·范施拉芬迪克;苏玛娜·哈玛;欧铠麟;李明;马来·米兰·萨曼塔雷设计研发完成，并于2020-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻停止层在说明书摘要公布了：公开了用于仅在例如3DNAND阶梯之类的结构的水平表面上形成硅氮化物SiN的方法。这允许用于后续形成通孔的较厚着陆垫。在一些实施方案中，所述方法涉及在阶梯上沉积SiN层，接着进行处理以相对于侧壁表面而选择性地使水平表面上的SiN层致密化。接着，执行湿蚀刻以将SiN从侧壁表面移除。选择性的处理在水平表面和侧壁之间造成明显不同的湿蚀刻速率WER。
本发明授权蚀刻停止层在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 提供衬底，所述衬底具有以阶梯状图案排列的交替的氧化物层和氮化物层，所述阶梯状图案包括暴露的水平氮化物表面以及暴露的氧化物和氮化物侧壁表面； 通过等离子体增强化学气相沉积PECVD处理，使用由包含含硅前体的处理气体产生的等离子体在交替的所述氧化物层和所述氮化物层上沉积氮化硅SiN层；以及处理所述SiN层，以选择性地使沉积在所述暴露的水平氮化物表面上的所述SiN层致密化，其中所述SiN层包括第一子层，所述第一子层设置在两个第二子层之间，每个第二子层具有比所述第一子层更高的湿蚀刻速率WER。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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