IMEC 非营利协会金荣现获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利具有脊形波导的单片硅上III-V族光电调相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113917714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110702565.4，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权具有脊形波导的单片硅上III-V族光电调相器是由金荣现;D·尤迪斯缇拉;B·库纳特;J·范卡姆潘豪特;M·I·潘图瓦基设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有脊形波导的单片硅上III-V族光电调相器在说明书摘要公布了：本公开涉及电光装置领域。具体而言，本公开提供了通过硅上III‑V族半导体工艺制造的单片集成电光调相器。该调相器包括硅基n型衬底基层，以及用于传播光的III‑V族n型脊形波导，其中该脊形波导从该n型衬底基层突出并沿着该n型衬底基层延伸。此外，该调相器包括被提供在脊形波导上的一个或多个绝缘层，以及被提供在该一个或多个绝缘层上的至少在该脊形波导上方的硅基p型顶盖层，其中该一个或多个绝缘层总共具有1‑100nm的厚度。
本发明授权具有脊形波导的单片硅上III-V族光电调相器在权利要求书中公布了：1.一种单片集成电光调相器，其中所述调相器在光调制区域中包括： 硅基n型基层； 用于传播光的n型脊形波导，其中所述脊形波导从所述n型基层突出并沿所述n型基层延伸，且由III‑V族半导体材料制成； 被提供在所述脊形波导上的一个或多个绝缘层，其中所述一个或多个绝缘层总共具有1‑100nm范围内的厚度；以及被提供在所述一个或多个绝缘层上的至少在所述脊形波导上方的硅基p型覆盖层，其中所述n型脊形波导、所述一个或多个绝缘层、以及所述p型覆盖层共同形成用于在所述光调制区域中对沿所述脊形波导传播的光进行调相的单片集成的半导体‑绝缘体‑半导体电容器。
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