上海华力集成电路制造有限公司陈勇跃获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种FDSOI的锗硅层的制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113937055B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111053103.0,技术领域涉及:H01L21/762;该发明授权一种FDSOI的锗硅层的制作方法是由陈勇跃;洪佳琪;颜强;谭俊;周海锋;成鑫华;方精训设计研发完成,并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种FDSOI的锗硅层的制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种FDSOI的锗硅层的制作方法,方法包括:提供SOI基片;在SOI基片的顶层硅上外延形成锗硅层;形成覆盖锗硅层的硅盖帽层;在硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物,以形成氧化物材料层;在锗硅层表面热氧化形成氧化层,锗硅层的厚度同时被减小,利用氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使硅盖帽层氧化,且在氧化层和锗硅层的界面处形成锗凝聚;进行热退火将氧化层和锗硅层界面处凝聚的锗扩散到整个锗硅层;刻蚀去除氧化物材料层和氧化层。本发明不仅实现了锗硅层锗浓度的提升,还降低高浓度锗硅层制备所需的时间和热预算,同时还保证锗硅层的工艺质量,使得锗硅层能很好的适用于半导体器件的制作,使半导体器件的性能得到改善。
本发明授权一种FDSOI的锗硅层的制作方法在权利要求书中公布了:1.一种FDSOI的锗硅层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤一、提供SOI基片,所述SOI基片包括底部体硅、绝缘介质埋层和顶层硅,所述绝缘介质埋层位于所述底部体硅和所述顶层硅之间; 步骤二、在所述顶层硅表面外延生长锗硅外延层,所述顶层硅和所述锗硅外延层叠加成锗硅层; 步骤三、形成覆盖所述锗硅层的硅盖帽层; 步骤四、在所述硅盖帽层上沉积含有氧自由基的氧化物,以形成氧化物材料层; 步骤五、在所述锗硅层表面进行热氧化形成氧化层,所述锗硅层的厚度同时被减小,利用所述氧化物材料层中氧自由基的催化氧化作用使所述硅盖帽层被氧化,且在所述氧化层和所述锗硅层的界面处形成锗凝聚; 步骤六、进行热退火将所述氧化层和所述锗硅层界面处的所述锗凝聚扩散到整个所述锗硅层; 步骤七、刻蚀去除所述氧化物材料层和所述氧化层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司,其通讯地址为:201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励