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龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利用于多路径功率放大器的一体地形成的分离器和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113949346B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011054321.1，技术领域涉及：H03F1/02；该发明授权用于多路径功率放大器的一体地形成的分离器和其制造方法是由格扎维埃·于埃;奥利维耶·朗贝;帕斯卡尔·佩罗设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于多路径功率放大器的一体地形成的分离器和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的各方面可以包括功率分离器。所述功率分离器可以包括第一分离器分支、第二分离器分支，所述第一分离器分支具有带无源组件的第一放大器，所述第二分离器分支具有带无源组件的第二放大器。通过将所述第一分离器分支和所述第二分离器分支配置成具有类似的相位延迟，所述第一分离器分支与所述第二分离器分支基本上电隔离。所述功率分离器的输出可以电耦合到多级放大器。所述功率分离器可以在单个半导体管芯上制造或与如所述多级放大器等其它电路一体地形成于同一半导体管芯上。公开了其它实施例。

本发明授权用于多路径功率放大器的一体地形成的分离器和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种多分支分离器，其特征在于，包括： 半导体管芯； 射频RF信号输入端； 第一和第二分离器输出端； 第一分离器分支，所述第一分离器分支包括与所述半导体管芯一体地形成的且串联耦合的第一放大器和第一调节元件，其中所述第一放大器包括由一个或多个细长的第一晶体管指状物形成的第一场效应晶体管FET，所述第一放大器的第一栅极端耦合到所述RF信号输入端，并且其中所述第一放大器的第一漏极端耦合到所述第一分离器输出端； 第二分离器分支，所述第二分离器分支包括与所述半导体管芯一体地形成的且串联耦合的第二放大器和第二调节元件，其中所述第二放大器包括由与所述第一晶体管指状物平行的一个或多个细长的第二晶体管指状物形成的第二场效应晶体管FET，所述第二放大器的第二栅极端耦合到所述RF信号输入端，并且其中所述第二放大器的第二漏极端耦合到所述第二分离器输出端； 其中所述第一分离器分支具有至少基于所述第一放大器的第一相位延迟与所述第一调节元件的第二相位延迟的组合的第一组合相位延迟，其中所述第二分离器分支具有至少基于所述第二放大器的第三相位延迟与所述第二调节元件的第四相位延迟的组合的第二组合相位延迟，并且其中所述第一分离器分支和所述第二分离器分支被配置成分离RF信号并在所述RF信号施加到所述RF信号输入端处时根据放大比率来放大所述RF信号的输入功率电平。

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