浜松光子学株式会社细川畅郎获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050124B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111368079.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体装置的制造方法是由细川畅郎;井上直;柴山胜己设计研发完成，并于2016-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置的制造方法包含：第1工序，其在半导体基板2的第1表面2a设置第1配线3；第2工序，其在第1表面2a安装光透过基板5；第3工序，其以半导体基板2的厚度小于光透过基板5的厚度的方式将半导体基板2薄型化；第4工序，其在半导体基板2形成贯通孔7；第5工序，其通过使用第1树脂材料来实施浸渍涂布法而设置树脂绝缘层10；第6工序，其在树脂绝缘层10形成接触孔16；及第7工序，其在树脂绝缘层10的表面10b设置第2配线8，且在接触孔16中将第1配线3与第2配线8电连接。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，其中，包含： 准备工序，其准备具有彼此相对的第1表面及第2表面的半导体基板、安装在所述第1表面的支撑基板、和设置在所述第1表面和所述支撑基板之间的第1配线； 第1形成工序，其在所述准备工序之后，在所述半导体基板，形成自所述第1表面到达至所述第2表面的贯通孔，且在所述贯通孔的所述第1表面侧的第1开口使所述第1配线的一部分露出； 第1浸渍涂布工序，其在所述第1形成工序之后，通过使用第1树脂材料来实施浸渍涂布法，从而在所述贯通孔的内表面及所述第2表面，设置经由所述贯通孔的所述第2表面侧的第2开口而连续的树脂绝缘层； 第2形成工序，其在所述第1浸渍涂布工序之后，在所述树脂绝缘层形成接触孔，且在所述接触孔的所述第1表面侧的开口使所述第1配线的一部分露出；及连接工序，其在所述第2形成工序之后，在所述树脂绝缘层的表面设置第2配线，且在所述接触孔的所述第1表面侧的所述开口中将所述第1配线和所述第2配线电连接。
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