中国人民解放军国防科技大学邱伟成获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利石墨烯声表面波滤波器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111417968.0，技术领域涉及：H03H9/64；该发明授权石墨烯声表面波滤波器件及其制备方法是由邱伟成;潘孟春;胡悦国;郭颜瑞;李裴森;胡佳飞;彭俊平;张琦设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本石墨烯声表面波滤波器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种石墨烯声表面波滤波器件及其制备方法，该石墨烯声表面波滤波器件包括由下至上依次设置的压电基底、催化金属电极层以及石墨烯层，石墨烯层与催化金属电极层共同组成石墨烯叉指电极。制备方法包括：1将压电基底进行清洗；2在压电基底上图形化制备催化金属电极层；3在催化金属电极层上生长石墨烯，形成石墨烯叉指电极。本发明采用化学气相沉积与金属层催化裂解相结合的方法制备石墨烯金属层，能显著降低催化金属电极层的厚度和石墨烯生长温度，且使石墨烯叉指电极与压电基底之间具有更强的结合力，可显著改善石墨烯质量及声表面波滤波器件的性能。
本发明授权石墨烯声表面波滤波器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种石墨烯声表面波滤波器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将压电基底1进行清洗； S2、在压电基底1上图形化制备催化金属电极层2； S3、在催化金属电极层2上生长石墨烯，形成石墨烯叉指电极，得到石墨烯声表面波滤波器件； 步骤S3中，所述石墨烯的生长采用等离子体增强化学气相沉积法进行实施，其中，反应温度为550℃～800℃，反应时间为10s～100s；所述石墨烯声表面波滤波器件，包括由下至上依次设置的压电基底1、催化金属电极层2以及石墨烯层3，所述石墨烯层3与所述催化金属电极层2共同组成石墨烯叉指电极；所述催化金属电极层2是以具有催化裂解碳源功能的过渡金属为原料制备得到；所述过渡金属包括铁、钴、镍和铜中的一种；所述催化金属电极层2的厚度≤10nm；所述压电基底1的构成材料为铌酸锂、钽酸锂或Ⅲ‑Ⅴ族化合物压电材料。
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