应用材料公司P·曼纳获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利氧化硅膜的选择性沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121605B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111288200.8，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权氧化硅膜的选择性沉积是由P·曼纳;A·B·玛里克设计研发完成，并于2016-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化硅膜的选择性沉积在说明书摘要公布了：本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或多个侧壁，该一或多个侧壁可包含氧化硅或氮化硅材料。沉积表面可本质上由硅构成，且选择性沉积的氧化硅层可通过使四乙氧基硅烷TEOS和臭氧在该图案化特征上流动而形成，其中该氧化硅层选择性地沉积在基板的沉积表面上。
本发明授权氧化硅膜的选择性沉积在权利要求书中公布了：1.一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法，包括以下步骤： 将所述氧化硅层选择性地沉积于在所述基板的表面上形成的图案化特征中，其中所述图案化特征包括一个或多个侧壁以及在所述图案化特征的底部处的沉积表面，并且所述一个或多个侧壁中的每个侧壁具有基部和帽部，其中所述帽部包含氮化硅而所述基部包含氧化硅，并且所述帽部的表面积是所述侧壁的表面积的至少三分之一而所述基部的表面积是所述侧壁的表面积的至少一部分，其中所述沉积表面本质上由硅构成，并且所述氧化硅层通过使所述图案化特征暴露于四乙氧基硅烷TEOS和臭氧而形成在所述沉积表面上从而从所述图案化特征的所述底部填充所述图案化特征，使得所述氧化硅层邻近所述基部和所述帽部；以及将所述图案化特征内的所述氧化硅层蚀刻到暴露每个侧壁的与每个相应帽部相对应的一个或多个部分的深度，并且使每个侧壁的与每个相应基部相对应的一个或多个部分不暴露。
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