惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司覃事建获国家专利权
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龙图腾网获悉惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板的制作方法及显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114156330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111458838.1,技术领域涉及:H10K59/124;该发明授权显示面板的制作方法及显示面板是由覃事建;张磊设计研发完成,并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板的制作方法及显示面板在说明书摘要公布了:本发明涉及一种显示面板的制作方法及显示面板,与现有方法中通过光刻加湿蚀刻两道工艺形成undercut结构相比,本发明所述制作方法通过一道蚀刻工艺即可在钝化层上形成undercut结构,节约产能,并且通过平坦化层和阳极层的配合形成对有机发光层和阴极的双层支撑,增强对阴极和有机发光层的支撑强度,避免塌陷风险。
本发明授权显示面板的制作方法及显示面板在权利要求书中公布了:1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括: 提供衬底基板; 在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层; 在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露至少部分所述薄膜晶体管层的源极的第一接触孔; 在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露部分所述辅助电极层的第二接触孔;其中,所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层表面的凹槽以及形成于所述凹槽底面的第一通孔,所述凹槽的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小; 在所述平坦化层表面形成阳极层,所述阳极层通过第一接触孔与所述源极电连接,所述阳极层通过第二接触孔沉积至所述辅助电极层表面; 在所述阳极层表面形成光阻层,在所述光阻层表面形成与所述第二接触孔相对应的第一开孔; 蚀刻去除沉积在所述辅助电极层表面的阳极层以在所述阳极层表面形成与所述第一开孔相对应的第二开孔; 蚀刻覆盖所述辅助电极层的至少部分钝化层以形成暴露至少部分所述辅助电极层的底切腔体;其中,所述底切腔体与所述第一通孔连通,位于所述第一通孔外侧的所述平坦化层形成环形凸起,所述凸起形成对底切腔体的部分遮挡; 去除所述光阻层; 蚀刻所述阳极层形成阳极; 去除剩余阳极层,并保留沉积于所述凹槽内壁的阳极层以作为第一支撑层。
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