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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811131.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由久保形雅之设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本申请的实施方式的半导体装置具有第一晶体管、第二晶体管、第三电极和控制层。第一晶体管具有半导体层的第一区域、第一电极和第一栅极电极，上述半导体层的第一区域具有第一面和第二面。第一电极与第一区域的第二面电连接。第一栅极电极设置于第一区域。第二晶体管具有半导体层的第二区域、第二栅极电极和第二电极，上述半导体层的第二区域与上述第一区域相邻地设置。第二栅极电极设置于第二区域。第二电极与第二区域的第二面电连接。第三电极设置于上述第一面侧，并且与上述第一晶体管及上述第二晶体管电连接。控制层以第三电极位于与第一面之间的方式设置，并且具有比第三电极小的线膨胀系数。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有第一晶体管、第二晶体管、第三电极和控制层，所述第一晶体管具有半导体层的第一区域、第一电极、第一栅极电极，所述半导体层的第一区域具有第一面及与所述第一面在第一方向上相向的第二面，所述第一电极与所述第一区域的所述第二面电连接，所述第一栅极电极设置于所述第一区域，所述第二晶体管具有所述半导体层的第二区域、第二栅极电极和第二电极，所述半导体层的第二区域在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域相邻地设置，并且具有所述第一面和所述第二面，所述第二栅极电极设置于所述第二区域，所述第二电极与所述第二区域的所述第二面电连接，并且与所述第一电极分开地设置的，所述第三电极设置于所述第一面侧，并且与所述第一晶体管及所述第二晶体管电连接，所述控制层以所述第三电极位于与所述第一面之间的方式设置，所述第三电极具有第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第二金属层设置于与所述第一金属层相比更靠所述第二面侧，所述第三金属层设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间，所述第四金属层设置于所述第一金属层与所述控制层之间，所述第三电极之中的所述第一金属层在所述第一方向上的厚度最厚，所述控制层具有比所述第一金属层小的线膨胀系数。

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