湖北久之洋红外系统股份有限公司张天行获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北久之洋红外系统股份有限公司申请的专利区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211573632.8，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法是由张天行;何光宗;张政;郝博;薛俊;杨俊和;吴小龙设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，包括以下步骤：将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层；通过RF‑PECVD方法在高偏压条件下在其表面制备C：H保护膜，厚度不超过150nm；在低偏压条件下制备C：H保护膜，厚度不超过400nm，即可得到区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜；本发明针对性采用了镀膜前表面清洗处理、氧化层去除工艺，有效解决了区熔单晶硅基底残留物影响膜基结合力的问题；同时，基于PECVD的沉积原理，采用了高、低偏压相结合的镀膜工艺方法，降低了膜层沉积过程的温度分布梯度，解决了膜系镀制可靠性差难以成膜的问题，提升了其环境耐候性及可靠性。
本发明授权区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法在权利要求书中公布了：1.一种区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜镀制方法，其特征在于包括以下步骤： 1将区熔单晶硅基底采用超声波清洗，去除表面的抛光物残留；所述区熔单晶硅基底电阻率≥2000Ω.cm，直径或对角线长度≥300mm，厚度不低于25mm； 2浸泡于化学溶液中，去除表面的氧化层； 3通过RF‑PECVD方法在高偏压条件下在其表面制备C：H保护膜，厚度不超过150nm；在低偏压条件下制备C：H保护膜，厚度不超过400nm，即可得到区熔单晶硅基底的耐压型中波红外保护膜； 采用多次成膜的方式完成制备，每次镀制完成后降温至室温后取出；在低偏压条件下制备C：H保护膜分两次进行，每次厚度不超过200nm； 所述高偏压条件的制备过程中功率1KW~2KW，沉积偏压不低于800V；所述低偏压条件的制备过程功率1KW~2KW，沉积偏压不高于750V。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北久之洋红外系统股份有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市江夏区庙山开发区明泽街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号