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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291331.4，技术领域涉及：G01N27/04；该发明授权适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法是由孙江涛;申梦娴;白旭;索鹏;徐立军设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法，包括：根据开域电场分布特点以及探测深度估计原则，确定边界电极个数及尺寸，将电极布置于开域边界，根据开域分布非连通的特点，通过电磁场仿真方法，利用主成分分析法，确定电学层析成像方法的最优电极序列，基于最优电极序列，获取所有最优电极序列对应的复阻抗信息，根据复阻抗信息，基于反演映射原理，结合电学层析成像算法，重建开域气液两相流电参数分布图像。本发明提供的适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法，能够实现电极阵列外部区域气液两相复杂介质分布的可视化，突破了单模态电学测量方法重建精度和应用场景的限制。

本发明授权适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于电极阵列外部区域的气液两相电阻抗分布成像方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：根据开域电场分布特点以及探测深度估计原则，确定边界电极个数及尺寸； 步骤2：将电极布置于开域边界； 步骤3：根据开域分布非连通的特点，通过电磁场仿真方法，利用主成分分析法，确定电学层析成像方法的最优电极序列； 步骤4：基于最优电极序列，获取所有最优电极序列对应的复阻抗信息； 步骤5：根据复阻抗信息，基于反演映射原理，结合电学层析成像算法，重建开域气液两相流电参数分布图像； 步骤1中，根据开域电场分布特点以及探测深度估计原则，确定边界电极个数及尺寸，具体为： 根据开域电场分布特点，建立开域电场仿真模型，连接两电极弧长中点，得到弦s，做起点为圆心o，过弦s中点的射线l，通过仿真，得到射线l弧长与电势的关系曲线，即，，当时，，且为对应电极排布的探测深度，R为开域电场的半径，结合实际探测深度需求，获取电极的个数及电极弧长，其中，电极的个数小于16，电极弧长为，d为开域直径，n为电极的个数； 步骤3中，根据开域分布非连通的特点，通过电磁场仿真方法，利用主成分分析法，确定电学层析成像方法的最优电极序列，具体为： 通过电磁场仿真方法设置开域下p种介质分布，并针对每种分布情况，仿真所有电极对之间的阻抗信息，共q个，其中，，得到样本矩阵为： 1； 利用标准化方法，计算样本协方差矩阵为： 2； 3；计算协方差矩阵的特征值及特征向量，t表示协方差矩阵r特征值个数，计算各个特征值贡献率及累积贡献率为： 4； 5； 选择累积贡献率超过80%的特征值对应的主成分，将其作为最优电极序列。

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