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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116300762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310332516.5，技术领域涉及：G05B19/418；该发明授权基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法是由王旗;隋晓明;王昆鹏;杨恒;宋猛;王凯;张林;舒天宇;彭红宇;石志强;靳婉琪设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法，属于晶体切割技术领域。该构建方法采集多个单片的面型数据、温场数据以及加工数据构成第一数据集合；并以面型数据作为条件，从第一数据集合中筛选单个切割晶片的期待温场数据，并构建单个切割晶片的参考加工数据；从而形成基于期待温场数据与待产出切割晶片的实时监测温场数据的比对，来分析和预判待产出切割晶片面型情况，并基于参考加工数据作为加工数据调整参照的过程控制模型。该过程控制模型能够建立切割晶片面型与温场、加工数据之间的模型关系，可实时反馈切割过程的加工状态，有效溯源，提高加工效率和良品率。

本发明授权基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法在权利要求书中公布了：1.一种基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、对于预定规格的晶体棒切割工艺，采集多个单片数据对构成第一数据集合，其中，所述多个单片数据对中的每个单片数据对与单个切割晶片一一对应，且包括该单个切割晶片的面型数据、温场数据、以及加工数据；所述温场数据包括基于晶体棒截面的温度分布信息，所述温度分布信息为网格空间分布温度数据或图像性的可视化温度分布信息； S2、以单片数据对中的面型数据落入预设的期望面型数据范围作为条件，从所述第一数据集合中筛选出第二数据集合，以该第二数据集合的温场数据作为单个切割晶片的期待温场数据，构建对应于期待温场数据的上限阈值和下限阈值，以该第二数据集合的加工数据构建单个切割晶片的参考加工数据； S3、形成基于所述期待温场数据与待产出切割晶片的实时监测温场数据的比对，来分析和预判待产出切割晶片面型情况，并基于所述参考加工数据作为加工数据参照的过程控制模型。

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