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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利刻蚀腔的清洁方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310175438.2，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权刻蚀腔的清洁方法是由王瑞环;余鹏;祝建;陈垚;汪泽群;陆小豪设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本刻蚀腔的清洁方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种刻蚀腔的清洁方法，提供刻蚀机台以及包括多个晶圆的晶圆组，选取出其中的N个晶圆，晶圆上均形成有金属互连结构，刻蚀机台中的刻蚀腔包括静电卡盘，静电卡盘上具有多个气孔；依次固定第一至第N‑1个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，在两晶圆刻蚀之间的时间段，在刻蚀腔通入第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔；移动第N个晶圆至静电卡盘上进行刻蚀，之后在刻蚀腔中通入第第一清洁气体，利用第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁刻蚀腔。本发明去无晶圆自动干蚀刻清洁中对静电卡盘造成损伤的气体，增加覆盖晶圆的清洁方法，有效清洁刻蚀腔中蚀刻副产物的同时，起到保护静电卡盘的作用。

本发明授权刻蚀腔的清洁方法在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀腔的清洁方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供刻蚀机台以及包括多个晶圆的晶圆组，选取出其中的N个晶圆，所述晶圆上均形成有金属互连结构，所述刻蚀机台中的刻蚀腔包括静电卡盘，所述静电卡盘上具有多个气孔； 步骤二、依次固定第一至第N‑1个所述晶圆至所述静电卡盘上进行刻蚀，在两所述晶圆刻蚀之间的时间段，在所述刻蚀腔通入第一清洁气体，利用所述第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁所述刻蚀腔；其中，所述第一等离子体对所述静电卡盘的刻蚀程度小于预设值，所述第一等离子体用于去除部分所述金属互连结构的副产物； 步骤三、移动第N个所述晶圆至所述静电卡盘上进行刻蚀，之后在所述刻蚀腔中通入第一清洁气体，利用所述第一清洁气体电离形成第一等离子体清洁所述刻蚀腔；之后在所述刻蚀腔中通入第二清洁气体，所述第二清洁气体为SF6和O2的混合气体，调节所述刻蚀腔为第一压力，利用所述第二清洁气体电离形成的第二等离子体清洁所述刻蚀腔中所述静电卡盘及其之上的区域，所述第一压力不低于20mTorr，所述SF6与所述O2的体积比为5:1，总气体流量不超过250sccm；调节所述刻蚀腔为第二压力，利用所述第二等离子体清洁所述刻蚀腔中所述静电卡盘下方的区域，所述第二压力不高于10mTorr，所述SF6与所述O2的体积比为5:1，总气体流量不超过250sccm；其中，所述第二等离子体对所述静电卡盘的刻蚀程度大于所述预设值，所述第二等离子体用于去除另一部分所述金属互连结构的副产物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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