北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司苏悦阳获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310401842.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构及其形成方法是由苏悦阳;郑凯;夏初晴设计研发完成，并于2023-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SOI衬底包括光栅区域、第一波导区域、第二波导区域和第三波导区域；第一脊型波导，位于所述第一波导区域的顶硅层中；光栅结构，所述光栅结构包括位于所述光栅区域的顶硅层中的第一部分以及位于所述第一部分上方的第二部分，所述第二部分和第一部分为同步刻蚀形成。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以降低硅基光电子无源器件的工艺难度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供SO I衬底，所述SO I衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SO I衬底包括光栅区域、第一波导区域、第二波导区域和第三波导区域； 在所述SO I衬底表面依次形成氧化层、多晶硅层和硬掩膜层； 执行第一刻蚀工艺，刻蚀所述第一波导区域和第二波导区域中的硬掩膜层、多晶硅层、氧化层和顶硅层，在所述第一波导区域和第二波导区域的顶硅层中形成预备第一脊型波导； 执行第二刻蚀工艺，刻蚀所述光栅区域中的硬掩膜层、多晶硅层、氧化层和顶硅层，形成光栅结构，并使所述第一波导区域的预备第一脊型波导转化为第一脊型波导，所述光栅结构包括位于所述顶硅层中的第一部分以及位于所述多晶硅层中的第二部分。
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