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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252910.8，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法是由李雪;顾溢;刘博文;邵秀梅;马英杰;李淘;龚海梅设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法，所述光敏元结构自下而上依次包含InP腐蚀截止层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAs组分递变吸收层、位错阻挡层、高In组分InGaAs吸收层、高In组分InAlAs接触层。所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的x自所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层的下端至上端由0.53线性递变至a，0.53＜a≤1，所述高In组分InGaAs吸收层与所述InxGa1‑xAs组分递变层上端晶格匹配，所述位错阻挡层采用与高In组分InGaAs吸收层晶格匹配的InAlAs或InAsP。还公开了一种制备所述光敏元结构的方法，主要步骤为：InP衬底预处理，外延材料生长，机械研磨湿法化学腐蚀去除InP衬底，选择性化学腐蚀去除In0.53Ga0.47As腐蚀牺牲层。本发明有利于实现在可见‑短波红外范围响应的单一宽光谱InGaAs探测器。

本发明授权一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽光谱InGaAs探测器的光敏元结构，包括InP腐蚀截止层1，In0.53Ga0.47As吸收层2，InxGa1‑xAs组分递变吸收层3，位错阻挡层4，高In组分InGaAs吸收层5，高In组分InAlAs接触层6；其特征在于： 所述的光敏元结构由下至上依次为InP腐蚀截止层1、In0.53Ga0.47As吸收层2、InxGa1‑xAs组分递变吸收层3、位错阻挡层4、高In组分InGaAs吸收层5和高In组分InAlAs接触层6； 所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层3的x自所述InxGa1‑xAs组分递变吸收层3的下端向上端由0.53线性递变至a，0.53＜a≤1。

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