深圳市德方纳米科技股份有限公司王鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市德方纳米科技股份有限公司申请的专利负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116404136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310456119.9，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用是由王鹏;万远鑫;屈恋;陈燕玉;刘厅;薛山设计研发完成，并于2023-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请属于电池材料技术领域，尤其涉及一种负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用。该负载单原子的多孔硅基负极材料包括硅基碳纳米片和负载所述硅基碳纳米片上的金属单原子；所述硅基碳纳米片包括多孔硅基纳米片，以及包覆在所述多孔硅基纳米片表面的碳材料。多孔二维纳米片状结构为离子的沉积提供了更充足的空间，多孔硅基纳米片表面的碳材料具有优异的导电性能，既能够提高硅基负极材料的电导率，又能够进一步优化和缓解充放电过程中硅基材料的体积膨胀问题，硅基碳纳米片上的金属单原子，能够提升硅基负极材料的电导率。从而有效改善了硅基负极材料在二次电池应用中的首次充电比容量、库伦效率以及循环稳定性等性能。
本发明授权负载单原子的多孔硅基负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种负载单原子的多孔硅基负极材料，其特征在于，包括硅基碳纳米片和负载所述硅基碳纳米片上的金属单原子； 其中，所述硅基碳纳米片包括多孔硅基纳米片，以及包覆在所述多孔硅基纳米片表面的碳材料； 所述负载单原子的多孔硅基负极材料的制备包括步骤： 制备硅基粉末材料； 将所述硅基粉末材料与金属离子溶液进行混合处理，分离得到吸附有金属离子的固体产物； 将所述固体产物与碳源混合后进行水热反应，分离得到水热产物； 将所述水热产物与造孔材料混合后进行煅烧处理，得到所述负载单原子的多孔硅基负极材料。
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