深圳硅山技术有限公司张振华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳硅山技术有限公司申请的专利一种多合一控制器低压电的控制电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116494826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310591797.6,技术领域涉及:B60L58/10;该发明授权一种多合一控制器低压电的控制电路是由张振华设计研发完成,并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多合一控制器低压电的控制电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多合一控制器低压电的控制电路,包括唤醒电路,用于获取汽车ON档电或者充电电源后输出高电平信号;导通电路,用于获取高电平信号并进行分级唤醒;以及软件控制电路,用于获取高电平信号并控制导通电路的唤醒时间以及断电信号。本发明将高电平信号做为唤醒信号,不做为电源使用,这样可以减小ON档电和充电唤醒电这两处低压配电线缆上的电流;使用MOS管来替代继电器,可以有效提高电路的寿命和可靠性;采用一级导通电路和二级导通电路,充分利用了低压电源,各部分需要工作时才给电,不需要工作时不给电,提高了低压电源的利用率。
本发明授权一种多合一控制器低压电的控制电路在权利要求书中公布了:1.一种多合一控制器低压电的控制电路,其特征在于,包括: 唤醒电路,用于获取汽车ON档电或者充电电源后输出高电平信号; 导通电路,用于获取高电平信号并进行分级唤醒;以及软件控制电路,用于获取高电平信号并控制导通电路的唤醒时间以及断电信号; 所述导通电路包括: 用于导通DCDC、PDU的一级导通电路;以及用于导通MCU和DCAC的二级导通电路,所述二级导通电路通过一级导通电路导通; 所述唤醒电路包括电阻R7、R8、电容C4、二极管D1、稳压二极管D2、三极管Q3,所述二极管D1的负极与稳压二极管D2的负极连接,所述稳压二极管D2的正极通过电阻R7接入三极管Q3的基极,所述电容C4、电阻R8的一端接入电阻R7与三极管Q3之间,且电容C4、电阻R8的另一端接入三极管Q3的发射极,所述电容C4、电阻R8并联; 所述一级导通电路包括电阻R14、R15、R17、电容C7、MOS管Q6,所述电阻R15的一端与MOS管Q6的漏极连接,且电阻R15的另一端与电阻R14连接,所述电阻R17的一端连接MOS管Q6的基极,所述电容C7的一端接入电阻R15与MOS管Q6之间,电容C7的另一端通过电阻R17的另一端接入电阻R15与电阻R14之间; 所述二级导通电路包括电阻R16、R18、R19、电容C8、MOS管Q5,所述电阻R16的一端与MOS管Q5的漏极连接,且电阻R16的另一端与电阻R19连接,所述电阻R18的一端连接MOS管Q5的基极,所述电容C8的一端接入电阻R16与MOS管Q5之间,电容C8的另一端通过电阻R18的另一端接入电阻R16与电阻R19之间; 所述软件控制电路包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R20、电容C1、C2、C3、三极管Q1、Q2、光耦U1,所述电阻R4与三极管Q1的基极连接,且三极管Q1的发射极通过电阻R3接入电阻R4与三极管Q1之间,所述电容C1与电阻R3并联,所述三极管Q1的集电极与光耦U1的2脚连接,所述电容C2与电阻R20连接后接入光耦U1的1脚,所述电阻R1的一端接入电阻R20与光耦U1之间,且电阻R1的另一端接入三极管Q1与光耦U1之间,所述光耦U1的4脚连接电阻R6,且光耦U1的3脚通过电阻R2接入三极管Q2的基极,所述三极管Q2的发射极通过电阻R5接入电阻R2与三极管Q2之间,所述电容C3与电阻R5并联,且三极管Q2的集电极与电阻R14连接。
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