浙江大学胡欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列及流场测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116715186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310196602.8，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列及流场测试方法是由胡欢;张兰胜;杭哲义设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列及流场测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列及流场测试方法，所述纤毛光学流体传感器阵列制作方法包括步骤S1‑S7从硅模板上剥离形成PDMS金字塔阵列，在PDMS金字塔上表面添加透明的机械力传递层，并在机械力传递层上制作纤毛。本发明设计的新型仿生学纤毛光学流体传感器阵列，利用将流场信息转化为光学信息并结合人工智能处理的方法实现流场测试，摒弃了传统仿生纤毛流体传感器阵列将流场信号转化为电学信号带来的复杂电极布线和信号处理电路问题；纤毛光学流体传感器阵列的制作采用光刻、湿法刻蚀，PDMS微结构制作等常规微纳加工工艺；基于该方法可以设计大面积的传感器阵列，并应用于典型流场测试，湍流测试和预测边界层分离的临界条件等。
本发明授权基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列及流场测试方法在权利要求书中公布了：1.基于仿生学的纤毛光学流体传感器阵列，其特征在于：所述纤毛光学流体传感器阵列制作方法包括以下步骤： S1、首先在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜作为后续氢氧化钾湿法刻蚀的掩蔽层； S2、通过传统光刻方法将S1中得到的器件表面做出光刻胶20图案； S3、以光刻胶20作为掩膜，利用感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀S2中暴露在光刻胶20以外的氮化硅薄膜； S4、去除S3完成后残余的光刻胶20； S5、以氮化硅19作为掩膜，利用氢氧化钾湿法刻蚀各向异性的特点刻蚀S4完成之后暴露在氮化硅掩蔽层以外的硅衬底，形成硅倒金字塔阵列模板； S6、将道康宁Sylgard 184硅橡胶的基本组分与固化剂的两部按10:1的重量比混合，真空排气，并浇入在S5上形成的硅模版； S7从硅模板上剥离形成PDMS金字塔阵列。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励