电子科技大学赵晓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310810203.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法是由赵晓辉;裴伟钦;蒋洪川;张万里设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于薄膜传感器设计与生产技术领域，具体为一种CSiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法。是利用相似化学键能够形成键过渡这一特点:采用SiO2薄膜层作为填补层、采用Si3N4薄膜层作为缓冲层，依次设于CSiC复合材料基底上后，三者具有相同Si元素，存在类似化学键，使其在各自界面处可形成键过渡，使整个绝缘层具有良好的附着力。阻挡层采用Al2O3薄膜层，绝缘层选择以Al2O3为主要成分材料制备且设于阻挡层之上，同样利用绝缘层材料与Al2O3化学成分相近这一特点，在界面处形成化学键合，提高绝缘层与Al2O3阻挡层之间的附着力。从而实现薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性和可靠性的提升。
本发明授权一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CSiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层，其特征在于：包括自下而上依次设置在CSiC复合材料基底上的填补层、缓冲层、阻挡层、绝缘层；所述填补层为SiO2薄膜层，缓冲层为Si3N4薄膜层；阻挡层为Al2O3薄膜层，其厚度为100～200nm，采用PEALD沉积技术制得；绝缘层由以Al2O3为主材料制备而成。
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