长飞光纤光缆股份有限公司;湖北光谷实验室蓝碧蛟获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司;湖北光谷实验室申请的专利半导体稀土掺杂复合多芯光纤及其预制棒、制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116986824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310857364.0，技术领域涉及：C03C13/04；该发明授权半导体稀土掺杂复合多芯光纤及其预制棒、制备方法与应用是由蓝碧蛟;钟力;汪松;杨晨;罗杰设计研发完成，并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体稀土掺杂复合多芯光纤及其预制棒、制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了半导体稀土掺杂复合多芯光纤及其预制棒、制备方法与应用，属于复合光纤技术领域，其包括位于中部的稀土掺杂纤芯和包覆设置于其外周的石英包层，石英包层中设置有至少一对半导体纤芯；利用稀土掺杂纤芯中稀土离子和共掺物质的组合设置，以及半导体纤芯中半导体材料的对应优选，使得复合多芯光纤既具备稀土掺杂光纤的增益功能，又能兼具半导体光纤的传感功能。本发明的半导体稀土掺杂复合多芯光纤，能够实现稀土材料与半导体材料在光纤中的可靠复合，使得光纤既具备增益功能，又能满足热电、压电和或光电转换的需求，有效提升复合光纤的功能性，提升复合光纤对环境条件变化的感应能力并提高其响应的速率，从而提升复合光纤的功能性。
本发明授权半导体稀土掺杂复合多芯光纤及其预制棒、制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体稀土掺杂复合多芯光纤，其特征在于，包括位于中部的稀土掺杂纤芯和包覆设置于该稀土掺杂纤芯外周的石英包层； 所述石英包层中设置有至少一对半导体纤芯；每对所述半导体纤芯中的两半导体纤芯相对所述稀土掺杂纤芯对称设置；且所述至少一对半导体纤芯中包括压电半导体纤芯、热电半导体纤芯和光电半导体纤芯中的至少一种；以及所述稀土掺杂纤芯为掺杂有稀土离子和共掺物质的SiO2芯层；所述稀土离子为Er3+、Yb3+、 Tm3+和Ho3+中的一种或多种；所述共掺物质为Al2O3、P2O5、CeO2、Nb2O5中的一种或多种； 所述至少一对半导体纤芯中的半导体材料为ZnO、CdTe、GaAs、ZnTe、Bi2Te3、SiGe、Si、Ge中的一种或多种；且半导体纤芯表面与稀土掺杂纤芯表面之间的径向距离不小于稀土掺杂纤芯半径的2倍。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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