陕西师范大学彭战辉获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西师范大学申请的专利高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117105660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311080470.9，技术领域涉及：C04B35/475；该发明授权高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料及其制备方法是由彭战辉;杨国燕;杨祖培;晁小练;梁朋飞设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为A23W13xTi1‑xO2，式中A为Bi、Y、Ga中任意一种，x的取值为0.005～0.04。本发明陶瓷材料采用传统固相烧结法制备而成，制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在金红石二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素A3+和W6+，所得陶瓷材料介电常数高达18470，介电损耗低至0.0181kHz，并且同时具有优异的温度稳定性，保持在‑10％～10％之间，符合X9S、X9P等陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。
本发明授权高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电低损耗温度稳定性三六价离子共掺杂金红石二氧化钛陶瓷材料，其特征在于：所述陶瓷材料的通式为A23W13xTi1‑xO2，式中A代表Bi、Y、Ga中任意一种，x的取值为0.005～0.04； 所述陶瓷材料的制备方法由下述步骤组成： 步骤1：按照A23W13xTi1‑xO2的化学计量，分别称取纯度为99.5%以上的原料WO3、金红石TiO2、A2O3进行配料，式中A代表Bi、Y、Ga中任意一种，充分混合球磨16～24小时，在80～100℃下干燥12～24小时，得到原料混合物； 步骤2：将原料混合物在1000～1100℃预烧2～4小时，得到预烧粉； 步骤3：将预烧粉经造粒、压片、排胶后，在氮气气氛、密闭条件下1350～1450℃烧结5～15小时，得到三六价离子共掺金红石二氧化钛陶瓷材料。
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