上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司陈晋川获国家专利权
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龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请的专利一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117250332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210646015.X，技术领域涉及：G01N33/2028；该发明授权一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法是由陈晋川;张俊宝;陈猛设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法，包括：1准备待测硅片和制备金属取样液；2利用气相分解系统去除所述待测硅片表面的氧化膜；3利用一份所述金属取样液处理上述硅片表面，得到回收液1，收集并测量回收液1，计算出金属浓度C1;4加热硅片，然后将硅片自然冷却至室温；5利用一份所述金属取样液处理降温后的硅片表面，得到回收液2，收集并测量回收液2，计算出金属浓度C2；6所述硅片的体金属浓度值为C2，表金属及膜层金属浓度和值为C1。本发明在体金属受热扩散到硅片表面之前，去除了硅片的表金属和膜层金属，排出了体金属测量中的干扰C1。
本发明授权一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法在权利要求书中公布了：1.一种排除硅片体金属测量中表金属干扰的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 1准备待测硅片和制备金属取样液，所述金属取样液包括：2.5wt%氢氟酸, 4.5wt%双氧水和超纯水; 2利用气相分解系统去除所述待测硅片表面的氧化膜； 3利用一份金属取样液对上述硅片表面进行处理得到回收液1，收集并测量回收液1，计算出金属浓度C1; 4加热硅片，然后将硅片自然冷却至室温； 5利用一份所述金属取样液处理降温后的硅片表面，得到回收液2，收集并测量回收液2，计算出金属浓度C2； 6所述硅片的体金属浓度值为C2，表金属及膜层金属浓度和值的为 C1。
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