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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117318450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311055413.5，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种栅极驱动电路是由励勇远;沈相龙;张本全;过伟;朱光前;钱利波;朱樟明设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种栅极驱动电路包括：自举电路，窄脉冲防直通电路，死区检测反馈模块，驱动电路，升电平位移电路，低侧延时电路以及控制逻辑电路。本发明提出的死区检测电路可以随不同负载自适应调整死区时间，相比于传统的固定死区时间有更高的灵活性；提出的窄脉冲防直通电路可以有效的避免高频应用下窄脉冲输入时高低侧管直通问题，提高了系统使用安全性；提出的升电平位移电路和降电平移位电路具有高可靠低延时的特性，可以有效解决dVsdt噪声影响，提高系统的可靠性，且本发明电路结构简单，具有很强的通用性。

本发明授权一种栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括：自举电路，窄脉冲防直通电路，死区检测反馈模块，驱动电路，升电平位移电路，低侧延时电路以及控制逻辑电路； 所述自举电路，用于产生驱动高侧管的高电源轨； 所述死区检测反馈模块，用于检测高侧管和低侧管的开关状态，并根据高侧管的开关状态生成高侧反馈信号反馈至控制逻辑电路，以及根据低侧管的开关状态生成低侧反馈信号反馈至控制逻辑电路； 所述控制逻辑电路，用于在低侧反馈信号的作用下产生高侧控制信号以及在高侧反馈信号的作用下生成低侧控制信号；所述低侧控制信号在低电源轨上； 所述升电平位移电路，用于将所述高侧控制信号抬高至高电源轨上； 所述低侧延时电路，用于按照所述升电平位移电路所需时间调整所述低电源轨的时序，以使高电源轨的时序与低电源轨的时序相同； 所述驱动电路，用于按照所述高电源轨驱动所述高侧管，以及按照低电源轨驱动所述低侧管； 所述窄脉冲防直通电路，用于根据输入信号的脉冲宽度调整自身的输出电平，从而控制所述高侧管和低侧管不出现直通；所述死区检测反馈模块包括降电平移位电路、高侧死区检测电路、匹配延时电路和低侧死区检测电路； 所述高侧死区检测电路和低侧死区检测电路均包括2个NMOS管和4个PMOS管； 其中，第一个PMOS管的漏极连接第三个PMOS管的源极，第三个PMOS管的漏极连接第四个PMOS管的栅极、第一个NMOS管的漏极、第二个NMOS管的栅极，第二个PMOS管的漏极连接第四个PMOS管的源极； 在所述高侧死区检测电路中，第一个PMOS管和第二个PMOS管的源极均接入所述自举电路输出的第一输出信号；第一个PMOS管的栅极、第二个PMOS管的栅极、第一个NMOS管的源极、第二个NMOS管的源极均接入所述自举电路输出的第二输出信号；第三个PMOS管的栅极和第一个NMOS管的栅极连接，并输入高侧管驱动信号，第四个PMOS管的漏极和第二个NMOS管的漏极连接，并输出高侧检测信号；在所述低侧死区检测电路中，第一个PMOS管和第二个PMOS管的源极均接入电源；第一个PMOS管的栅极、第二个PMOS管的栅极、第一个NMOS管的源极、第二个NMOS管的源极均接入地；第三个PMOS管的栅极和第一个NMOS管的栅极连接，并输入低侧管驱动信号，第四个PMOS管的漏极和第二个NMOS管的漏极连接，并输出低侧检测信号。

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