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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117393633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311257653.3，技术领域涉及：H10F30/223；该发明授权一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用是由李国强;陈亮;王文樑;柴吉星设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用。本发明的PIN型InGaN基可见光探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、电流扩散层、N型扩散层、InGaNGaN多量子阱层、P型扩散层、介电层和金属纳米颗粒层，还包括P型金属电极层、减反膜层和N型金属电极层。本发明的PIN型InGaN基可见光探测器兼具高的光响应度和高的光响应速度，可以很好地满足高速可见光通信系统的需求。

本发明授权一种PIN型InGaN基可见光探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种PIN型InGaN基可见光探测器，其特征在于，组成包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、电流扩散层、N型扩散层、InGaNGaN多量子阱层、P型扩散层、介电层和金属纳米颗粒层，还包括P型金属电极层、减反膜层和N型金属电极层；所述InGaNGaN多量子阱层由多个InGaN层和多个GaN层交替层叠构成；所述P型金属电极层设置在P型扩散层远离InGaNGaN多量子阱层的那一面，且设置在介电层的两侧并与介电层接触；所述减反膜层设置在由N型扩散层、InGaNGaN多量子阱层、P型扩散层、介电层和P型金属电极层构成的结构的侧面，且与电流扩散层接触；所述N型金属电极层设置在电流扩散层远离缓冲层的那一面，且不与减反膜层接触；所述缓冲层由AlN层、AlGaN层和GaN层依次层叠构成，AlN层的厚度为1μm～2μm，AlGaN层的厚度为0.5μm～1μm，GaN层的厚度为2μm～3μm；所述电流扩散层为Si掺杂的GaN层，Si的掺杂浓度为1×1018cm‑3～5×1018cm‑3；所述电流扩散层的厚度为1μm～1.5μm；所述N型扩散层为Si掺杂的GaN层，Si的掺杂浓度为1×1018cm‑3～5×1018cm‑3；所述N型扩散层的厚度为200nm～500nm；所述金属纳米颗粒层由直径为50nm～100nm的Ag纳米颗粒构成；所述减反膜层由MgF2层、SiO2层、MgF2层和SiO2层依次层叠构成，MgF2层的厚度为71nm～123nm，SiO2层的厚度为68nm～118nm。

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