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龙图腾网获悉内蒙古科技大学申请的专利一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117403214B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311378771.X，技术领域涉及：C23C16/511；该发明授权一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法是由谭心;王健;杨桥;贺占清;祁晖;未雪原设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法，包括如下步骤：在硅基底表面生长一层金刚石薄膜；对金刚石基底表面去除石墨等非晶杂质和萃取氢终端悬键；在金刚石植晶液中加入强酸制备出羧基金刚石植晶液；羧基金刚石植晶液和稀土水溶液搅拌成金刚石接枝稀土的混合植晶液；在金刚石基底表面植入混合晶种；在植晶完成后的金刚石基底表面与稀土金属靶材共同生长纳米金刚石薄膜；然后对生长完成后的样品进行退火处理；最后对样品进行表面清洗，得到较为纯净的纳米金刚石稀土色心；本发明突破了稀土原子半径大无法进入到金刚石这个难题的壁垒。

本发明授权一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过接枝制备纳米金刚石稀土空位色心的方法，其特征在于，包括如下步骤： S1，前期准备：通过超声波清洗机对基底进行清洗；通过金刚石植晶液将金刚石植晶在该基底上进行植晶；将该基底取出后，热风吹干； S2，金刚石基底制备：采用微波等离子体化学气相沉积设备，在步骤1中的基底上生长厚度为1000nm‑12000nm的金刚石薄膜，作为金刚石基底； S3，金刚石表面预处理：采用真空气氛管式退火炉，将步骤2中制备的金刚石基底去表面石墨；调节微波功率后，采用微波等离子体化学气相沉积设备通入氢气，起辉后通入甲烷；形核10min,调节氢气甲烷流量进行生长3小时；真空850℃退火30min并氢气刻蚀1h，温度800℃； S4，金刚石稀土植晶液配置，羧基金刚石制备：采用金刚石颗粒粒径为3‑4nm纳米的金刚石粉末的纳米，以100mL去离子水：1g纳米金刚石粉末制备纳米金刚石水溶液，3000r·min‑1离心，最后弃下层沉淀，冷冻干燥；取纳米金刚石精细粉末加入混合酸，10000r·min‑1离心，弃去上清液；下层沉淀依次加入15mL的0.1mol·L‑1NaOH和0.1mol·L‑1HCL；在水浴锅内加热温度为90℃，保温时间为2h，去上清液得羧基纳米金刚石；用去离子水洗涤3‑6次至中性，3000r·min‑1离心，得羧基纳米金刚石精细粉末； 羧基金刚石和稀土植晶液配比：将羧基纳米金刚石与去离子水配比成42.25mL、浓度0.69wt％的纳米金刚石稀土悬浮液；超声处理；并与300mL浓度为1.43wt％的醋酸铈溶液混合搅拌20min并超声处理5min；指示剂检测Ln3+离子含量；将纳米金刚石稀土悬浮液放在旋转蒸发器中干燥；放中性除湿机中干燥至恒重，产率为0.28‑0.29g；将得到的0.05g纳米金刚石稀土固体放入50mL去离子水中超声； S5，金刚石稀土空位色心生长，金刚石二次生长：将步骤3中的金刚石基底放入步骤5中超声40min，将植晶过的金刚石基底放入微波等离子体化学气相沉积设备中生长，生长出厚度200nm‑400nm金刚石薄膜； 金刚石稀土空位色心形成：将步骤5中生长后的金刚石基底放入真空气氛管式退火炉中退火，金刚石稀土色心中空位的形成。

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