华南理工大学王文樑获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种InGaN/PdO异质结自供电可见光光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117410370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311424740.3，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种InGaN/PdO异质结自供电可见光光电探测器及其制备方法是由王文樑;陈金荣;李国强设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种InGaN/PdO异质结自供电可见光光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器，包括从下到上依次层叠的衬底、缓冲层、InGaN层，PdO层、Al2O3绝缘层、第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和第二电极层分别设置在PdO层和InGaN层上；所述InGaN层和PdO层形成InGaNPdO异质结；所述InGaN层的厚度为100～200nm，PdO层厚度为20～60nm。本发明还公开了上述InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器的制备方法。本发明通过引入PdO层构建天然PN结，形成内建电场，实现了载流子的高效分离，提升了器件的响应速度、响应度和自供电特性。
本发明授权一种InGaN/PdO异质结自供电可见光光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InGaNPdO异质结自供电可见光光电探测器，其特征在于，包括从下到上依次层叠的衬底、缓冲层、InGaN层，PdO层、Al2O3绝缘层、第一电极层和第二电极层；所述第一电极层和第二电极层分别设置在PdO层和InGaN层上；所述InGaN层和PdO层形成InGaNPdO异质结； 所述InGaN层的厚度为100~200 nm，PdO层厚度为20~60 nm； 所述Al2O3绝缘层设置于InGaN层和PdO层之间；所述PdO层覆盖于InGaN层的部分表面、Al2O3绝缘层的表面和Al2O3绝缘层的其中一个侧面； 所述缓冲层包括从下到上依次层叠的AlN层、AlGaN层和GaN层；所述AlN层、AlGaN层和GaN层的厚度分别为200~250 nm、300~500 nm、1~4 μm。
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