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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种调节光刻胶局部厚度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117434794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210817456.1，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种调节光刻胶局部厚度的方法是由许东煜;王志宏;赵弘文;周文湛设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种调节光刻胶局部厚度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种调节光刻胶局部厚度的方法，提供半导体前层结构，所述半导体前层结构包括不同高度的Fin结构以及将不同高度的Fin结构覆盖的堆叠结构；在堆叠结构表面旋涂光刻胶层，光刻胶层在堆叠结构表面第一区域的光刻胶层的厚度大于第二区域的光刻胶层的厚度；提供光罩，光罩上形成有包括用于对第一区域曝光的辅助图形和用于对第二区域曝光的图案；辅助图形包括多个以阵列分布的单元图形；利用光罩同时对光刻胶层的第一区域和第二区域曝光，调节曝光强度，使第一区域显影后其表面的部分随显影溶解，辅助图形不转移至第一区域的光刻胶层上，显影后第一区域的光刻胶层的厚度减小；同时使第二区域显影后，图案转移至该第二区域的光刻胶层上。

本发明授权一种调节光刻胶局部厚度的方法在权利要求书中公布了：1.一种调节光刻胶局部厚度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体前层结构，所述半导体前层结构包括硅基底，位于所述硅基底内将有源区隔离开的STI区，所述有源区内的硅基底上设有不同高度的Fin结构；以及将不同高度的所述Fin结构覆盖的堆叠结构；不同高度的Fin结构使所述堆叠结构形成表面高度不同的区域； 步骤二、在所述堆叠结构的表面旋涂一层光刻胶层，所述光刻胶层在所述堆叠结构表面高度高的区域为第一区域，该第一区域的光刻胶层的厚度为H1；所述光刻胶层在所述堆叠结构表面高度低的区域为第二区域，该第二区域的光刻胶层的厚度为H2；且H1大于H2； 步骤三、提供光罩，所述光罩上形成有包括用于对所述第一区域进行曝光的辅助图形以及用于对所述第二区域进行曝光的图案；所述辅助图形包括多个以阵列分布的单元图形，所述阵列的行数和列数分别大于1； 步骤四、利用所述光罩同时对所述光刻胶层的第一区域和第二区域进行曝光，调节曝光强度，使得所述第一区域显影后其表面的部分随显影溶解，所述辅助图形不转移至该第一区域的所述光刻胶层上，显影后所述第一区域的光刻胶层的厚度为H2；同时使得所述第二区域显影后，所述图案转移至该第二区域的光刻胶层上。

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