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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457745B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311606678.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件是由曾大杰设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，沟道区的正面形成有按第一步进排列的器件单元，各器件单元包括穿过沟道区的沟槽栅；在沟道区的正面还形成有用于对体二极管进行优化的优化结构，包括：设置在部分或全部器件单元中第二沟槽电极结构，在设置有第二沟槽电极结构的器件单元中，第二沟槽电极结构位于沟槽栅的至少一侧。第二沟槽电极结构的第二沟槽穿过沟道区且第二沟槽的侧面和邻近的正面电极区具有间距。第二沟槽电极结构的第二导电材料层的顶部连接到和正面电极区和沟道区相连的第一正面电极，沟槽栅的栅极导电材料层连接到栅极。在不增加沟槽栅的宽度和不改变第一步进的条件下，利用第二沟槽电极结构调节沟道区的宽度并从而优化体二极管的性能。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第二导电类型掺杂的沟道区； 在所述沟道区的底部形成有第一导电类型掺杂的漂移区； 所述漂移区的底部形成有第一导电类型重掺杂的背面电极区； 所述沟道区的正面形成有多个并联的器件单元，各所述器件单元包括： 沟槽栅，包括栅极沟槽、形成于所述栅极沟槽的内侧表面的栅介质层和填充于所述栅极沟槽中的栅极导电材料层；所述栅极沟槽穿过所述沟道区，被所述栅极导电材料层侧面覆盖的所述沟道区的表面用于形成导电沟道； 第一导电类型重掺杂的正面电极区，所述正面电极区和所述沟槽栅的侧面自对准； 体二极管由所述正面电极区和所述背面电极区之间的所述沟道区和所述漂移区形成； 各所述器件单元按第一步进排列，所述第一步进为所述栅极沟槽的宽度和所述栅极沟槽之间的间距和； 所述正面电极区通过顶部对应的第一通孔连接到由正面金属层组成的第一正面电极； 所述栅极导电材料层通过顶部对应的第二通孔连接到由所述正面金属层组成的栅极； 所述正面电极区顶部对应的所述第一通孔的底部也和所述沟道区连接； 所述背面电极区的背面和由背面金属层组成的背面电极连接； 在所述沟道区的正面还形成有用于对所述体二极管进行优化的优化结构，所述优化结构包括： 第二沟槽电极结构，包括第二沟槽、形成于所述第二沟槽的内侧表面的第二介质层和填充于所述第二沟槽中的第二导电材料层； 所述第二沟槽电极结构设置在部分或全部所述器件单元中，在设置有所述第二沟槽电极结构的所述器件单元中，所述第二沟槽电极结构位于所述沟槽栅的至少一侧； 所述第二沟槽穿过所述沟道区，所述第二沟槽的侧面和邻近的所述正面电极区具有间距； 所述第二导电材料层也通过邻近的所述正面电极区顶部的所述第一通孔连接到所述第一正面电极； 在不增加所述沟槽栅的宽度和不改变所述第一步进的条件下，利用所述第二沟槽电极结构调节所述沟道区的沿所述栅极沟槽的宽度方向上的宽度，半导体器件中的所述第二沟槽电极结构根据所述体二极管的要求设置，所述第二沟槽的数量越多以及所述第二沟槽的宽度越大，所述沟道区的宽度越小，所述体二极管的性能更优； 在各所述沟槽栅之间，设置有一个以上的所述第二沟槽电极结构； 在所述栅极沟槽的宽度方向上，所述沟槽栅和所述第二沟槽电极结构将所述沟道区分割成第一沟道段和第二沟道段； 所述第一沟道段位于所述栅极沟槽和所述第二沟槽之间或者位于两个所述栅极沟槽之间，所述第二沟道段位于各所述第二沟槽之间； 所述第一沟道段的掺杂浓度根据阈值电压的要求进行设置； 所述第二沟道段作为所述优化结构的组成部分，所述第二沟道段的掺杂浓度低于所述第一沟道段的掺杂浓度，以减少所述沟道区的第二导电类型掺杂量，从而改善所述体二极管的性能。

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