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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117476659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097811.7，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种阵列基板及显示面板是由郑帅;宋志伟设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括基板、遮光层、绝缘介质层、金属走线层和薄膜晶体管层；遮光层位于基板上；绝缘介质层包括第一介质层和第二介质层，第一介质层覆盖遮光层和基板，第二介质层位于第一介质层上，第一介质层在覆盖遮光层处形成有凸起结构；金属走线层位于第二介质层上，形成有源漏极走线，凸起结构位于相邻的源漏极走线之间；薄膜晶体管层，与源漏极走线连接；在形成金属走线层的过程中，凸起结构上残留有金属走线层的金属走线材料，在形成第二介质层的过程中，凸起结构上的金属走线材料被清除。本发明的阵列基板上，凸起结构没有残留金属走线材料，因此源漏极走线之间不会因为残留的金属走线材料而发生短路。

本发明授权一种阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 基板； 遮光层，位于所述基板上； 绝缘介质层，包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层覆盖所述遮光层和所述基板，所述第二介质层位于所述第一介质层上，所述第一介质层在覆盖所述遮光层处形成有凸起结构； 金属走线层，位于所述第二介质层上，形成有源漏极走线，所述凸起结构位于相邻的所述源漏极走线之间； 薄膜晶体管层，与所述源漏极走线连接； 在形成所述金属走线层的过程中，所述凸起结构上残留有所述金属走线层的金属走线材料，在形成所述第二介质层的过程中，所述凸起结构上的金属走线材料被清除； 所述在形成所述第二介质层的过程中，所述凸起结构上的金属走线材料被清除包括： 形成第二介质层材料，覆盖所述第一介质层；在所述第二介质层材料上形成所述金属走线层，在形成所述金属走线层的过程中，覆盖所述凸起结构的所述第二介质层材料上残留有所述金属走线层的金属走线材料；将除金属走线层下方的第二介质层材料之外的第二介质层材料刻蚀干净，形成所述第二介质层，同时带走残留的所述金属走线材料。

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