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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311424751.1，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法是由王文樑;李国强;李佳熹设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaN衬底上二维MoS2Re‑MoS2横向异质结的制备方法，包括以下步骤：1在SiO2衬底上生长MoS2层：2将SiO2衬底置于新的石英舟的左侧，上方覆盖结净的衬底，将铼源、钼源与助熔剂混合放置于石英舟的右侧，一并推入新的石英管的下游；将硫粉放入石英坩埚中，推入石英管的上游；将空气排尽，在MoS2层侧面生长Re‑MoS2层，得到生长有二维MoS2Re‑MoS2异质结的SiO2衬底：3将二维MoS2Re‑MoS2异质结转移至GaN衬底表面。本发明得到的异质界面势垒较低、缓解了钉扎效应，同时提升了为载流子跨越势垒提供了隧穿方式，制备方法操作简单，可控性和安全性好。

本发明授权一种GaN衬底上二维MoS2/Re-MoS2横向异质结的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN衬底上二维MoS2Re‑MoS2横向异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在SiO2衬底上生长MoS2层： 将洁净的SiO2衬底放置于石英舟左侧，将原料钼源MoO3与助熔剂NaCl混合放置于石英舟右侧，一并推入石英管下游；将硫粉放入石英坩埚中，推入石英管上游； 将石英管内空气排尽，在SiO2衬底上生长MoS2层，得到生长有MoS2层的SiO2衬底； 2在步骤1制备得到的MoS2层侧面生长Re‑MoS2层： 将生长有MoS2层的SiO2衬底置于新的石英舟的左侧，生长有MoS2层的SiO2衬底上方覆盖结净的衬底，将原料铼源ReO3、钼源MoO3与助熔剂NaCl混合放置于石英舟的右侧，一并推入新的石英管的下游；将硫粉放入石英坩埚中，推入石英管的上游； 将石英管内空气排尽，在MoS2层侧面生长Re‑MoS2层，得到生长有二维MoS2Re‑MoS2异质结的SiO2衬底： 3将二维MoS2Re‑MoS2异质结转移至GaN衬底表面： 在步骤2得到的生长有二维MoS2Re‑MoS2异质结的SiO2衬底表面旋涂PMMA，SiO2衬底置于氢氟酸刻蚀液中刻蚀，在观察到刻蚀剂液面上方漂浮PMMA层后，控制GaN衬底沉入PMMA层液面下方，提拉GaN衬底从而实现衬底转移，得到GaN衬底上二维MoS2Re‑MoS2横向异质结。

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