电子科技大学赵晓辉获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118007065B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410208568.6，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法是由赵晓辉;刘昱辰;陈哲;彭斌设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：一种PtWPt复合材料应变薄膜及其制备方法，属于薄膜传感器设计与生产技术领域。所述应变薄膜包括PtW层和Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：10～20；PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。本发明采用PtW和Pt双层薄膜结构，PtW层可以增强Pt在氧化物绝缘层上的附着力，抑制Pt的高温团聚，维持Pt薄膜的完整性和均匀性，保持Pt薄膜具有应变灵敏系数和高温稳定性，实现1000℃下应变的准确测量；同时严格控制PtW层和Pt层的厚度比，以及PtW层中W的含量，优化薄膜高温性能，保证薄膜在高温下对应变的准确测量。
本发明授权一种PtW/Pt复合材料应变薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PtWPt复合材料应变薄膜，其特征在于，所述应变薄膜包括PtW层，以及形成于PtW层之上的Pt层；其中，PtW层的厚度为30～100nm，Pt层的厚度为300nm～2000nm，PtW层和Pt层的厚度比为1：10～20；所述PtW层中，W的质量百分含量为6～8％。
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