中南大学张治安获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物及其制备和在钠离子电池中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410380933.1，技术领域涉及：H01M4/525；该发明授权一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物及其制备和在钠离子电池中的应用是由张治安;李仕豪;赖延清;张留运;张毅设计研发完成，并于2024-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物及其制备和在钠离子电池中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于钠离子电池领域，具体涉及一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物，其化学式为：NaaNibMncMedO2‑xAx，其中Me代表掺杂过渡金属元素，A代表阴离子；其中a为0.6≤a≤1.2，b为0.1＜b＜0.9，c为0.1＜c＜0.9，d为0≤d≤0.5，x为0＜x＜1.0；所述的A包括含有5种以上的阴离子，并能够形成高熵构型，且各阴离子的取值大于0，小于或等于0.1。本发明还包括所述的材料的制备和应用。本发明提供了一种高熵阴离子材料，所述的材料能够有效改善O层稳定性，改善材料的高压性能。
本发明授权一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物及其制备和在钠离子电池中的应用在权利要求书中公布了：1.一种阴离子掺杂镍锰基层状氧化物，其特征在于，其化学式为：NaaNibMncMedO2‑xAx，其中Me代表掺杂过渡金属元素，A代表阴离子； 其中a为0.6≤a≤1.2，b为0.1＜b＜0.9，c为0.1＜c＜0.9，d为0≤d≤0.5，x为0＜x＜1.0； 所述的A包括含有5种以上的阴离子，并能够形成高熵构型，且各阴离子的取值大于0，小于或等于0.1。
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