北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司倪代秦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中材人工晶体研究院有限公司;中材人工晶体研究院有限公司申请的专利生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118207625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410509106.8，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法是由倪代秦;赵鹏;高崇;何敬晖;陈建荣;杜洪兵设计研发完成，并于2024-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙，可以通过坩埚内原料蒸发产生的蒸汽在此冷凝而自动密封，从而可以解决氧化镓熔体在高温下继续挥发的问题。同时，由于坩埚实现了自密封，坩埚内由于原料分解产生的氧分压很快达到饱和，因此也进一步抑制了原料的分解，可以生长高质量、大尺寸的氧化镓晶体。
本发明授权生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种生长氧化镓晶体的金属坩埚，其特征在于，所述金属坩埚包括坩埚体和盖合于所述坩埚体的坩埚盖，所述坩埚盖搭接于所述坩埚体上，所述坩埚盖边缘与所述坩埚体内壁接触的缝隙不大于0.5mm，所述坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，所述坩埚盖边缘与所述坩埚体的内壁接触，且接触点位于所述坩埚体的开口所在的平面以下。
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