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广东省大湾区集成电路与系统应用研究院张璇获国家专利权

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龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院申请的专利一种电容-电压曲线的校正方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118278346B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410438533.1,技术领域涉及:G06F30/367;该发明授权一种电容-电压曲线的校正方法、装置、设备及存储介质是由张璇;徐勇;李彬鸿;科里斯托诺夫索林设计研发完成,并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种电容-电压曲线的校正方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本申请公开了一种电容‑电压曲线的校正方法、装置、设备及存储介质。首先可以通过第一阻抗测试桥的高端和低端分别获取目标晶体管的叠加电压和输出电流,并通过第二阻抗测试桥的高端和低端分别获取参照晶体管的叠加电压和输出电流。根据目标晶体管的叠加电压和输出电流绘制目标晶体管的目标电容‑电压曲线,根据参照晶体管的叠加电压和输出电流绘制参照晶体管的参照电容‑电压曲线。再基于目标电容‑电压曲线和参照电容‑电压曲线生成若干个沟道电容对,并基于若干个沟道电容对绘制校正电容‑电压曲线。本申请通过使用参照晶体管和目标晶体管,可以实现对目标晶体管电容‑电压曲线的高精度校正,确保准确性和可靠性。

本发明授权一种电容-电压曲线的校正方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种电容‑电压曲线的校正方法,其特征在于,所述方法包括: 通过第一阻抗测试桥的高端获取目标晶体管的叠加电压,通过第一阻抗测试桥的低端获取目标晶体管的输出电流;所述目标晶体管的前栅极与所述第一阻抗测试桥的高端相连;所述目标晶体管的源极和漏极短接,短接的所述目标晶体管的源极和漏极与所述第一阻抗测试桥的低端相连;所述目标晶体管的背栅极与地线相连; 通过第二阻抗测试桥的高端获取参照晶体管的叠加电压,通过第二阻抗测试桥的低端获取参照晶体管的输出电流;所述参照晶体管的前栅极与所述第二阻抗测试桥的高端相连;所述参照晶体管的源极和漏极短接,短接的所述参照晶体管的源极和漏极与所述第二阻抗测试桥的低端相连;所述参照晶体管的背栅极与地线相连;所述叠加电压由交流电压和直流电压叠加得到;所述参照晶体管的沟道长度大于所述目标晶体管的沟道长度; 根据所述目标晶体管的叠加电压和输出电流绘制所述目标晶体管的目标电容‑电压曲线,根据所述参照晶体管的叠加电压和输出电流绘制所述参照晶体管的参照电容‑电压曲线; 基于所述目标电容‑电压曲线和所述参照电容‑电压曲线,生成若干个沟道电容对; 基于所述若干个沟道电容对绘制校正电容‑电压曲线; 所述基于所述若干个沟道电容对绘制校正电容‑电压曲线,包括: 根据所述若干个沟道电容对、校正沟道电容计算公式以及沟道归一化公式,计算得到若干个校正沟道电容; 基于所述若干个校正沟道电容绘制所述校正电容‑电压曲线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,其通讯地址为:510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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