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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于磁场互补的抗偏移无线充电磁耦合器及设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410249919.8，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权一种基于磁场互补的抗偏移无线充电磁耦合器及设计方法是由徐海;黄智聪设计研发完成，并于2024-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁场互补的抗偏移无线充电磁耦合器及设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁场互补的抗偏移无线充电磁耦合器及设计方法，属于无线电能传输技术领域。耦合器包括：原边，包括原边第一线圈和原边磁芯板，原边第一线圈绕制在原边磁芯板的上表面；副边，包括副边第一线圈、副边第二线圈、副边磁芯板和副边凸型磁芯，副边第二线圈围绕磁芯板并绕制在副边磁芯板的中间位置，副边凸型磁芯设置在副边磁芯板上表面，副边第二线圈的上半部分嵌套在凸型磁芯的凸起槽中；副边第一线圈绕制在副边磁芯板的下表面，并与副边第一线圈正交布置；其中，副边第一线圈产生或接收垂直磁场，副边第二线圈产生或接收平行磁场。本发明的磁耦合器基于磁场补偿互补的原理实现磁场波动抑制，进而实现耦合器的抗偏移特性。

本发明授权一种基于磁场互补的抗偏移无线充电磁耦合器及设计方法在权利要求书中公布了：1.一种用于设计抗偏移无线充电磁耦合器的设计方法，其特征在于，包括以下步骤： 根据抗偏移无线充电磁耦合器的互感与偏移量的关系进行线性化处理，确定所述抗偏移无线充电磁耦合器的结构参数； 其中，所述线性化处理包括：线性化原边第一线圈与副边第一线圈耦合互感与偏移量，以及线性化原边第一线圈与副边第二线圈耦合互感与偏移量； 所述确定所述抗偏移无线充电磁耦合器的结构参数，包括： 根据IPT系统的输入、输出参数要求，确定原边第一线圈和副边第一线圈的尺寸参数； 根据原边第一线圈、副边第一线圈的互感特性以及预设的预期偏移范围，获取原边第一线圈与副边第一线圈之间的初始互感MTR0，以及最大偏移下的互感MTR,min，并计算出近似斜率kTR； 根据近似斜率kTR设计副边第二线圈； 所述根据近似斜率kTR设计副边第二线圈，包括： 设定副边第二线圈的初始匝数NS0，获取补偿互感的最小值以及极大值并记录补偿互感极大值点对应的偏移量△X，根据线性方法计算出补偿斜率kTS； 若|kTR|kTS，则减少副边第二线圈的匝数NS；若|kTR|kTS，则增加副边第二线圈的匝数NS； 若|kTR|≈kTS，则输出耦合器的优化设计参数。

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