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龙图腾网获悉中国人民解放军海军工程大学申请的专利基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118484893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410678066.X，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法是由刘永葆;贾宇豪;贺星;蒙泽威;石政宇设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法在说明书摘要公布了：本发明涉及基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法，包含步骤：建立超椭圆曲线；建立共轭温度线与温差比例因子的关系式；建立关于共轭温度线与气膜孔位置的超椭圆曲线；列出共轭温度梯度差；建立关于气膜孔排数与共轭温度梯度线的气膜孔优化排布模型；确定当前的气膜孔的位置坐标；确定气膜孔位置坐标图；在涡轮端壁上标定每个气膜孔的实际物理坐标；最终输出关于当前的涡轮端壁的气膜孔布置方案。本发明实现布置策略的理论性与普适性；适用于多种气膜孔型和所有带温度差异的热端部件；实现指导气膜孔在热端部件的排布准则的可量化。

本发明授权基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法在权利要求书中公布了：1.一种基于超椭圆理论的沿温度梯度布置的气膜孔布置方法，其特征在于：包含以下步骤： S100.建立超椭圆曲线； S200.建立共轭温度线与温差比例因子的关系式； S300.建立关于所述共轭温度线与气膜孔位置的超椭圆曲线； S400.列出共轭温度梯度差； S500.建立关于气膜孔排数与共轭温度梯度线的气膜孔优化排布模型；所述共轭温度梯度线由多条所述共轭温度线按照所述共轭温度梯度差顺序排列组成； S600.根据S500中建立的所述气膜孔优化排布模型，确定当前的气膜孔的位置坐标； S700.通过S300中建立的超椭圆曲线确定气膜孔位置坐标图； S800.利用S700中的所述气膜孔位置坐标图，在涡轮端壁上标定每个气膜孔的实际物理坐标；最终输出关于当前的涡轮端壁的气膜孔布置方案；所述气膜孔布置方案包含所述实际物理坐标； S100中的所述超椭圆曲线按下式表达： 其中：a为超椭圆的长半轴的长度；b为超椭圆的短半轴的长度；x为气膜孔的排数编号； y为x对应所述共轭温度线的值；θ用于表征及坐标系下的辅角；n为通项表达式的项数；m为通项表达式的项数； S200中所述共轭温度线与所述温差比例因子的关系式按下式表达： y＝Tmin+ΔT·κ其中：Tmin为涡轮端壁表面上的叶栅通道内的最低共轭温度；ΔT为所述共轭温度梯度差，用于表征气膜孔的相邻两排之间的间距；κ为温差比例因子。

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