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龙图腾网获悉智新半导体有限公司申请的专利SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118759334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410761008.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法是由余明;张皓霆;彭宁凯;梅山赛;郭靖设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiCMOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法，涉及MOSFET高温反向偏压测试技术领域，包括：驱动电路和控制电路，驱动电路包括第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关，第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关的不动端分别与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管和下桥臂MOSFET管的栅极连接；控制电路用于控制第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关处于第一工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行负栅压老化测试；或者控制电路用于控制第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关处于第二工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行零栅压老化测试。本发明可在MOSFET模块的每一个MOSFET做高温反向偏压测试时，同步施压栅极负压应力，对MOSFET模块的每一个MOSFET进行充分的老化测试，筛选出栅极故障的个体MOSFET。

本发明授权SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置、系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC MOSFET模块的高温反向偏压测试装置，其特征在于，包括： 驱动电路，其包括第一单刀双掷开关和第二单刀双掷开关，所述第一单刀双掷开关的不动端与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管的栅极连接，所述第二单刀双掷开关的不动端与待测试MOSFET模块中的下桥臂MOSFET管的栅极连接； 控制电路，其与所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关电连接，且被配置为： 所述控制电路用于控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第一工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行负栅压老化测试； 或者所述控制电路用于控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第二工作状态，以对MOSFET模块的MOSFET管进行零栅压老化测试； 所述驱动电路还包括测试电源正极、测试电源负极、地线、上桥电压源和下桥电压源； 所述测试电源正极与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管的漏极连接，所述测试电源负极与待测试MOSFET模块中的下桥臂MOSFET管的源极连接，所述地线与待测试MOSFET模块中的上桥臂MOSFET管的源极和下桥臂MOSFET管的漏极连接； 当所述控制电路控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第一工作状态时，所述第一单刀双掷开关的由动端与所述上桥电压源连接，所述第二单刀双掷开关的由动端与所述下桥电压源连接，且所述上桥电压源和所述下桥电压源均设置为负电压； 当所述控制电路控制所述第一单刀双掷开关和所述第二单刀双掷开关处于第二工作状态时，所述第一单刀双掷开关的由动端与所述地线连接，所述第二单刀双掷开关的由动端与所述测试电源负极连接。

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