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西安电子科技大学张立获国家专利权

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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118763411B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411153436.4,技术领域涉及:H01Q1/50;该发明授权一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线是由张立;李森豪;翁子彬;焦永昌;伊良镛设计研发完成,并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线,其第一天线层远离第二天线层的一面设有第一圆形区域,靠近第二天线层的一面设有第二圆形区域。第二天线层的中心设有第一圆柱形空腔,第一圆柱形空腔中设有环形介质谐振器,环形介质谐振器的中心设有圆柱形介质谐振器。第三天线层靠近第二天线层的一面设有第一矩形区域,靠近第四天线层的一面设有第三圆形区域。第一矩形区域内设有的圆形金属贴片和馈电微带通过多个馈电枝节连接。第四天线层的中心设有第二圆柱形空腔,环绕第二圆柱形空腔设有一圈第一金属通孔。第五天线层设有一圈与第一金属通孔一一对应的第二金属通孔。基于此,实现了滤波介质谐振器天线的高选择性。

本发明授权一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线在权利要求书中公布了:1.一种基于SISL的高选择性滤波介质谐振器天线,其特征在于,包括依次叠加的第一天线层、第二天线层、第三天线层、第四天线层和第五天线层;每个天线层均包括介质基板和叠加于所述介质基板两面的金属层; 所述第一天线层远离所述第二天线层的一面设有第一圆形区域;所述第一天线层靠近所述第二天线层的一面设有第二圆形区域;所述第一圆形区域和所述第二圆形区域内的金属层被去除; 所述第二天线层的中心设有第一圆柱形空腔;所述第一圆柱形空腔中设有环形介质谐振器;所述环形介质谐振器的中心设有圆柱形介质谐振器;所述环形介质谐振器的外径小于所述第一圆柱形空腔的直径; 所述第三天线层靠近所述第二天线层的一面设有第一矩形区域,所述第三天线层靠近所述第四天线层的一面设有第三圆形区域;所述第一矩形区域和所述第三圆形区域内的金属层被去除;所述第一矩形区域内设有圆形金属贴片和馈电微带;所述圆形金属贴片和所述馈电微带通过多个馈电枝节连接;所述馈电微带外接天线馈电线; 所述第四天线层的中心设有第二圆柱形空腔;环绕所述第二圆柱形空腔设有一圈第一金属通孔; 所述第五天线层设有一圈第二金属通孔;所述第二金属通孔与所述第一金属通孔一一对应; 所述第一圆形区域、所述第一圆柱形空腔、所述第二圆形区域、所述第三圆形区域、所述圆形金属贴片和所述第二圆柱形空腔的圆心在目标方向的投影重合;所述目标方向为垂直于各天线层的方向。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学,其通讯地址为:710071 陕西省西安市太白南路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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