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东南大学沙菁㛃获国家专利权

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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于液滴调控的弯液面忆阻器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118922059B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410946580.7,技术领域涉及:H10N70/20;该发明授权一种基于液滴调控的弯液面忆阻器及其制备方法与应用是由沙菁㛃;尚建宇;刘巍;袁小轩;樊沁阳;陈云飞设计研发完成,并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于液滴调控的弯液面忆阻器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明属于微纳流体领域,具体公开了一种基于液滴调控的弯月面流体忆阻器及其制备方法与应用。弯液面忆阻器包括纳米孔芯片和用于夹装芯片的两个凹凸配合件,两个配合件上均预留了容纳液体的储液池和用来放置芯片的凹槽。所述储液池分别用于容纳第一液体与第二液体,二者液体互不相溶且表面张力系数存在差异。在所述纳米孔芯片的减薄区一侧,第一液体与第二液体接触并形成弯液面。通过对忆阻器施加电压进而调控弯月面液滴尺寸,实现纳米孔孔口电阻阻值变化,最终实现忆阻器的阻值变化功能。本发明利用第一液体、第二液体在纳米孔减薄区一侧形成弯液面液滴并利用电场实现液滴调控,实现电阻变化,构建得到了基于液滴调控的弯月面流体忆阻器。

本发明授权一种基于液滴调控的弯液面忆阻器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种基于液滴调控的弯月面流体忆阻器,其特征在于,包括纳米孔芯片、以及用于装夹纳米孔芯片的两个聚甲基丙烯酸甲酯PMMA加工件,其中一个加工件上设有容纳第一液体的第一储液池;另一个加工件上设有容纳第二液体的第二储液池;每个所述加工件上均预留了用来放置芯片的凹槽;其中所述纳米孔芯片放置在所述加工件凹槽中并夹紧,所述纳米孔芯片两端与所述加工件的液池连通;第一电极与第一液体连接;第二电极与第二液体连接;所述第一液体与第二液体之间存在表面张力系数差异并且互不相溶;其中在所述纳米孔芯片的减薄区一侧,第一液体与第二液体接触并形成弯月面;通过对忆阻器施加电压进而调控弯月面液滴尺寸,实现纳米孔孔口电阻阻值变化,最终实现忆阻器的阻值变化功能。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人东南大学,其通讯地址为:210000 江苏省南京市江宁区东南大学路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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