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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118950633B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411028001.7，技术领域涉及：B08B9/08；该发明授权一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质是由梁鹏欢设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质，该方法包括：对外延设备的反应腔室进行初步吹扫和初步升温；对反应腔室执行可重复清洁步骤，可重复清洁步骤包括：对反应腔室进行吹扫、升温、氢气烘烤、输送刻蚀气体、吹扫、冷却；对反应腔室进行降温，使腔室温度降温至外延生长时的工艺温度；将空白测试硅片置于反应腔室内长膜，得到测试外延片；检测测试外延片的表面颗粒，以判断反应腔室的清洁指标是否符合预设清洁指标；若反应腔室的清洁指标不符合预设清洁指标，再次执行可重复清洁步骤，直至清洁指标符合预设清洁指标为止。本公开的外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质，能够减少外延片颗粒污染，提高产品品质。

本发明授权一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质在权利要求书中公布了：1.一种外延设备清洁方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步骤、对所述外延设备的反应腔室进行初步吹扫； 第二步骤、对所述外延设备的反应腔室进行初步升温； 第三步骤、对所述反应腔室执行可重复清洁步骤，所述可重复清洁步骤包括： 第一子步骤、对所述反应腔室进行吹扫； 第二子步骤、对所述反应腔室进行升温； 第三子步骤、对所述反应腔室进行氢气烘烤； 第四子步骤、向所述反应腔室内输送刻蚀气体，以对反应腔室表面及内部部件表面的污染物进行刻蚀； 第五子步骤、对所述反应腔室进行吹扫，以排出刻蚀产物和残余刻蚀气体； 第六子步骤、对所述反应腔室进行冷却； 第四步骤、对所述反应腔室进行降温，以使所述反应腔室的腔室温度降温至外延生长时的工艺温度； 第五步骤、将空白测试硅片置于所述反应腔室内长膜，得到测试外延片； 第六步骤、检测所述测试外延片的表面颗粒，以判断所述反应腔室的清洁指标是否符合预设清洁指标；且若所述反应腔室的清洁指标不符合预设清洁指标，再次执行所述第三步骤、所述第四步骤、所述第五步骤和所述第六步骤，直至所述清洁指标符合预设清洁指标为止。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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